Mosfet plástico da baixa tensão do canal BC3400 350mW 5.8A de N
Número de modelo:BC3400
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:3000pcs
Termos do pagamento:T/T, Paypal, dinheiro
Capacidade da fonte:1 bilhão partes do mês
Prazo de entrega:2-4weeks
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Dongguan Guangdong China
Endereço:
Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
Fornecedor do último login vezes:
No 1 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
SOT-23 Plástico-encapsulam MOSFETS
Transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal BC3400
CARACTERÍSTICAS
Projeto denso alto da pilha para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
Em-resistência excepcional e capacidade atual máxima da C.C.
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso da Dreno-fonte | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso da Porta-fonte | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Corrente contínua do dreno | Identificaço | 5,8 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dreno Atual-pulsado (nota 1) | IDM | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dissipaço de poder | Paládio | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
| Resistência térmica da junço a ambiental (nota 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de junço | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55~+150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
Características elétricas (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condiço de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||
| Fora das características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| tenso de diviso da Dreno-fonte | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICAÇO =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
| Corrente zero do dreno da tenso da porta | IDSS | VDS =24V, VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
| corrente do escapamento da Porta-fonte | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||
| Em características | ||||||||||||||||||||||||||||||
| em-resistência da Dreno-fonte (nota 3) | RDS (sobre) | VGS =10V, IDENTIFICAÇO =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Tranconductance dianteiro | gFS | VDS =5V, IDENTIFICAÇO =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
| Tenso do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =250ΜA | 0,7 | 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||
| Características dinmicas (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade entrada | Ciss | VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz | 1050 | PF | ||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade de saída | Coss | 99 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade reversa de transferência | Crss | 77 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
| Resistência da porta | Rg | VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz | 3,6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
| Características de comutaço (nota 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso de ligaço | TD (sobre) | VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de elevaço de ligaço | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso da volta-fora | TD (fora) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de queda da volta-fora | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
| características de diodo da Dreno-fonte e avaliações máximas | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso dianteira do diodo (nota 3) | VSD | É =1A, VGS =0V | 1 | V | ||||||||||||||||||||||||||
Nota:
1. avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.
2. de superfície montado FR4 na placa, T3 < 5="" sec=""> . Teste do pulso: Pulso Width≤300µs, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. garantido pelo projeto, no assunto aos testes de produço.
1. avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junço máxima.
2. de superfície montado FR4 na placa, T3 < 5="" sec=""> . Teste do pulso: Pulso Width≤300µs, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. garantido pelo projeto, no assunto aos testes de produço.
Mosfet plástico da baixa tensão do canal BC3400 350mW 5.8A de N
Inquiry Cart
0