Mosfets do transistor do campo do canal 0.22A BSS138 de 0.35W N
Número de modelo:BSS138
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:3000pcs
Termos do pagamento:T/T, MoneyGram
Capacidade da fonte:1 bilhão partes do mês
Prazo de entrega:4-5weeks
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Dongguan Guangdong China
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Parque do Cyber de Tianan, estrada de No.1 Huangjin, distrito de Nancheng, cidade de Dongguan, província de Guangdong, China
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SOT-23 Plástico-encapsulam MOSFETS
BSS138 MOSFET do N-canal 50-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
1. Projeto da pilha do alto densidade para extremamente - o baixo
RDS (sobre)
2.Rugged e Relaible
2.Rugged e Relaible
APLICAÇÕES
relaço do Lógica-nível 1.Direct: TTL/CMOS
2.Drivers: Relés, solenoides, lmpadas, martelos, exposiço, memórias, transistor, etc.
3. sistemas a pilhas
4. Relés de circuito integrado
2.Drivers: Relés, solenoides, lmpadas, martelos, exposiço, memórias, transistor, etc.
3. sistemas a pilhas
4. Relés de circuito integrado
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Valor | Unidade | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso da Dreno-fonte | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso contínua da Porta-fonte | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Corrente contínua do dreno | Identificaço | 0,22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Dissipaço de poder | Paládio | 0,35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistência térmica da junço a ambiental | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de funcionamento | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de armazenamento | Tstg | -55 ~+150 | |||||||||||||||||||||||||||||||
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (℃ Ta=25 salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condiço de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidades | ||||||||||||||||||||||||||||
| Fora das características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| tenso de diviso da Dreno-fonte | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFICAÇO =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| escapamento do Porta-corpo | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Corrente zero do dreno da tenso da porta | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0,5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VDS =30V, VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Em características | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| tenso do Porta-ponto inicial (nota 1) | VGS (th) | VDS =VGS, IDENTIFICAÇO =1MA | 0,80 | 1,50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
| Em-resistência estática da dreno-fonte (nota 1) | RDS (sobre) | VGS =10V, IDENTIFICAÇO =0.22A | 3,50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICAÇO =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transcondutncia dianteira (nota 1) | gFS | VDS =10V, IDENTIFICAÇO =0.22A | 0,12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Características dinmicas (nota 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade entrada | Ciss | VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz | 27 | PF | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade de saída | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Capacidade reversa de transferência | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Características de comutaço | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso de ligaço (nota 1,2) | TD (sobre) | VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFICAÇO =0.29A, RGEN =6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de elevaço (nota 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de atraso da volta-fora (nota 1,2) | TD (fora) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tempo de queda (nota 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| características de diodo do corpo da Dreno-fonte | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tenso dianteira do diodo do corpo (nota 1) | VSD | É =0.44A, VGS = 0V | 1,4 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Notas:
1. teste do pulso; Largura de pulso ≤300µs, ciclo de dever ≤2%.
2. Estes parmetros no têm nenhuma maneira de verificar.
1. teste do pulso; Largura de pulso ≤300µs, ciclo de dever ≤2%.
2. Estes parmetros no têm nenhuma maneira de verificar.
Mosfets do transistor do campo do canal 0.22A BSS138 de 0.35W N
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