Microplaqueta de IC do circuito integrado de MUN5312DW1T1G

Number modelo:MUN5312DW1T1G

Lugar de origem:EM

Quantidade de ordem mínima:1

Termos do pagamento:T/T

Capacidade da fonte:3000

Detalhes de empacotamento:As caixas

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Endereço: REI CONSTRUÇÃO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NENHUMA RUA de 2TAU=I YAU

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Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	Transistor bipolares - Pre-inclinados
RoHS:	Detalhes
Configuraço:	Duplo
Polaridade do transistor:	NPN, PNP
Resistor entrado típico:	22 kOhms
Relaço típica do resistor:	1
Montando o estilo:	SMD/SMT
Pacote/caso:	SC-88-6
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho:	60
Tenso VCEO do emissor do coletor máxima:	50 V
Corrente de coletor contínua:	0,1 A
Corrente de coletor máxima da C.C.:	100 miliampères
Paládio - dissipaço de poder:	187 mW
Temperatura de funcionamento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 150 C
Série:	MUN5312DW1
Empacotamento:	Carretel
Empacotamento:	Corte a fita
Empacotamento:	MouseReel
Tipo:	onsemi
HFE do ganho atual de C.C. máximo:	60 em 5 miliampères em 10 V
Altura:	0,9 milímetros
Comprimento:	2 milímetros
Número de canais:	Canal 2
Tipo de produto:	BJTs - transistor bipolares - Pre-inclinado
	3000
Subcategoria:	Transistor
Largura:	1,25 milímetros
Peso de unidade:	0,000219 onças