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PWB da dupla camada com ouro preto da imerso da máscara da solda
1 2 placa de circuito impresso material da carcaça da camada FR4.
2 ROHS, MSDS, GV, UL, ISO9001&ISO14001 habilitado.
3 o material de FR4 TG150, espessura do PWB é 1.6mm.
Máscara preta da solda 4 e silkscreen branco.
cobre 5 35um em cada camada.
O tamanho do PWB 6 é 250mm*130mm/4pcs.
O tratamento 7 de superfície é o ouro 1u' da imerso.
PWB, cliente personalizados 8 da necessidade para enviar-nos o arquivo do gerber ou o arquivo do PWB.
S1150G | |||||
Artigos | Método | Circunstncia | Unidade | Valor típico | |
Tg | IPC-TM-650 2.4.25 | DSC | ℃ | 155 | |
TD | IPC-TM-650 2.4.24.6 | peso de 5%. perda | ℃ | 380 | |
CTE (Z-linha central) | IPC-TM-650 2.4.24 | Antes do Tg | ppm/℃ | 36 | |
Após o Tg | ppm/℃ | 220 | |||
50-260℃ | % | 2,8 | |||
T260 | IPC-TM-650 2.4.24.1 | TMA | minuto | >60 | |
T288 | IPC-TM-650 2.4.24.1 | TMA | minuto | 30 | |
Esforço térmico | IPC-TM-650 2.4.13.1 | 288℃, mergulho da solda | -- | passagem | |
Resistividade de volume | IPC-TM-650 2.5.17.1 | Após a resistência de umidade | MΩ.cm | 6,4 x 107 | |
E-24/125 | MΩ.cm | 5,3 x 106 | |||
Resistividade de superfície | IPC-TM-650 2.5.17.1 | Após a resistência de umidade | MΩ | 4,8 x 107 | |
E-24/125 | MΩ | 2,8 x 106 | |||
Resistência de arco | IPC-TM-650 2.5.1 | D-48/50+D-4/23 | s | 140 | |
Diviso dielétrica | IPC-TM-650 2.5.6 | D-48/50+D-4/23 | quilovolt | 45+kV N.B. | |
Constante da dissipaço (DK) | IPC-TM-650 2.5.5.9 | 1MHz | -- | 4,8 | |
IEC 61189-2-721 | 10GHz | -- | — | ||
Fator de dissipaço (Df) | IPC-TM-650 2.5.5.9 | 1MHz | -- | 0,01 | |
IEC 61189-2-721 | 10GHz | -- | — | ||
Força de casca (1Oz a folha de cobre) | IPC-TM-650 2.4.8 | N/mm | — | ||
Após o esforço térmico 288℃, 10s | N/mm | 1,4 | |||
125℃ | N/mm | 1,3 | |||
Força Flexural | LW | IPC-TM-650 2.4.4 | MPa | 600 | |
CW | IPC-TM-650 2.4.4 | MPa | 450 | ||
Absorço de água | IPC-TM-650 2.6.2.1 | E-1/105+D-24/23 | % | 0,1 | |
CTI | IEC60112 | Avaliaço | PLC 0 | ||
Inflamabilidade | UL94 | C-48/23/50 | Avaliaço | V-0 | |
E-24/125 | Avaliaço | V-0 |
Q1: Que é testes altos do potencial (HiPot)?
A1: O teste alto do potencial (HiPot) é conduzido para verificar se o material dielétrico de uma placa do PWB possa suportar uma tenso mais altamente do que sua tenso avaliado sem dividir. Este é um tipo de ajudas do teste de esforço para medir a força dielétrica da carcaça do PWB que ajuda por sua vez a medir a capacidade da isolaço do dispositivo sob o teste (DUT). Igualmente dá uma ideia a quanto tenso o DUT pode suportar durante aplicações da real-vida.
Neste teste, uma alta tenso é fornecida placa do PWB por alguns segundos para verificar para ver se há a isolaço ou a força dielétrica dos componentes montados na placa do PWB. A duraço do teste de HoPot pode variar de alguns segundos até a alguns minuetos. O padro do IEC 60950 diz que o teste deve ser conduzido para 1 minuto. Uma placa é sujeitada ao teste de HiPot somente depois a detecço de falha, a umidade, e testes de vibraço de conduço.
a C.A. e a C.C. podem ser usadas para realizar o teste de HiPot. Isto pode depender das exigências estabelecidas pela agência de teste reguladora. Contudo é o melhor testar um dispositivo posto da C.A. com uma alta tenso AC e um dispositivo posto da C.C. com uma alta tenso da C.C.
Como calcular a tenso do teste de HiPot?
No há nenhuma maneira exata de calcular a tenso de HiPot, contudo uma regra empírica geral seria (tenso de entrada nominal de 2 x) + V. 1000. Para um exemplo, se a tenso de entrada de funcionamento é 140 volts ento a tenso de HiPot seria (140 x 2) V + 1000 V = 1280 V ou 1,28 quilovolts.
Como é um teste de HiPot executou?
Este teste pode ser executado aplicando uma alta tenso placa ou ao dispositivo de circuito impresso em que o PWB é usado e de monitoraço a corrente resultante do escapamento. A tenso que é aplicada em um teste de HiPot pode ser até 10 vezes mais altamente do que a tenso avaliado do PWB. A tenso é aplicada entre a entrada principal e o chassi (estrutura exterior) do produto.
Na figura acima, nós consideramos um circuito básico demonstrar a condiço do teste de HiPot
Condiço da passagem do teste de HiPot:
Se a carcaça do PWB pode resistir a alta tenso sem dividir e igualmente inibe o fluxo da corrente do escapamento ento que se pode ver como uma condiço da passagem de HiPot.
A boa isolaço no permitirá o fluxo do escapamento adicional atual na superfície do dispositivo.
Condiço da falha do teste de HiPot:
Se a diviso ocorre e no há nenhum controle na corrente do escapamento ento que se pode considerar como uma condiço da falha de HiPot.
A isolaço pobre pode causar o fluxo do escapamento adicional atual na superfície do dispositivo sob o teste.