Canal 600V da microplaqueta N de IC do transistor do MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT

Number modelo:FCB36N60NTM
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, PayPay
Capacidade da fonte:1000PCS/Months
Prazo de entrega:2-3 dias úteis
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Shenzhen China
Endereço: 5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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Original discreto dos semicondutores dos transistor do MOSFET de FCB36N60NTM

 

 

Atributo de produtoValor de atributo
Categoria de produto:MOSFET
Tecnologia:Si
Montando o estilo:SMD/SMT
Pacote/caso:SC-70-3
Polaridade do transistor:N-canal
Número de canais:1 canal
Vds - tenso de diviso da Dreno-fonte:600 V
Identificaço - corrente contínua do dreno:36 A
RDS - na resistência da Dreno-fonte:90 mOhms
Vgs - tenso da Porta-fonte:- 30 V, + 30 V
Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte:4 V
Qg - carga da porta:112 nC
Temperatura de funcionamento mínima:- 55 C
Temperatura de funcionamento máximo:+ 150 C
Paládio - dissipaço de poder:312 W
Modo do canal:Realce
Empacotamento:Carretel
Empacotamento:Corte a fita
Empacotamento:MouseReel
Configuraço:Único
Tempo de queda:4 ns
Transcondutncia dianteira - minuto:41 S
Altura:4,83 milímetros
Comprimento:10,67 milímetros
Tipo de produto:MOSFET
Tempo de elevaço:22 ns
Série:FCB36N60N
Quantidade do bloco da fábrica:800
Subcategoria:MOSFETs
Tipo do transistor:1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora:94 ns
Tempo de atraso de ligaço típico:23 ns
Largura:9,65 milímetros
Peso de unidade:4 g

 

China Canal 600V da microplaqueta N de IC do transistor do MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT supplier

Canal 600V da microplaqueta N de IC do transistor do MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT

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