Transistor bipolares 18.8dB do RF dos transistor de ASI MRF9045LR1

Number modelo:MRF9045LR1
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:L/C, Western Union, palpay
Capacidade da fonte:1000PCS/Months
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Original bipolar do si dos transistor de MRF9045LR1TRANSISTORS RF no estoque

 

O ASI MRF9045LR1 está a uma alta tenso, ouro-metalizada,

semicondutor de óxido de metal lateralmente difundido. Ideal para de hoje

 Aplicações do amplificador de potência do RF.

 

 

Transistor do MOSFET do RF
RoHS:Detalhes
N-canal
Si
4,25 A
65 V
945 megahertz
DB 18,8
60 W
SMD/SMT
NI-360
Bandeja
Configuraço:Único
Transcondutncia dianteira - minuto:3 S
Paládio - dissipaço de poder:117 W
Tipo de produto:Transistor do MOSFET do RF
Subcategoria:MOSFETs
Tipo:MOSFET do poder do RF
Vgs - tenso da Porta-fonte:15 V
Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte:4,8 V
Peso de unidade:0,032480 onças
Dois típicos
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
dBc 32
Proteço integrada do ESD
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
Estabilidade térmica excelente
Caracterizado com o equivalente da série grande
Parmetros da impedncia do sinal
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
Dois típicos
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
dBc 32
Proteço integrada do ESD
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
Estabilidade térmica excelente
Caracterizado com o equivalente da série grande
Parmetros da impedncia do sinal
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
Dois típicos
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
dBc 32
Proteço integrada do ESD
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
Estabilidade térmica excelente
Caracterizado com o equivalente da série grande
Parmetros da impedncia do sinal
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
Dois típicos
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
dBc 32
Proteço integrada do ESD
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
Estabilidade térmica excelente
Caracterizado com o equivalente da série grande
Parmetros da impedncia do sinal
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
1
Dados do dispositivo RF
Semicondutor de Freescale
Transistor de efeito de campo do poder do RF
N
Realce do canal
MOSFETs laterais do modo
Projetado
para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com frequen-
cies até 1000 megahertz. GA alto
em e desempenho de faixa larga destes
os dispositivos fazem-nos ideais para grande
sinal, comum
applica- do amplificador da fonte
tions no equipamento da estaço base de 28 volts.
Dois típicos
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
dBc 32
Proteço integrada do ESD
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de CW
Potência de saída
Estabilidade térmica excelente
Caracterizado com o equivalente da série grande
Parmetros da impedncia do sinal
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica 40
′ do ′ do μ
No
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Transistor bipolares 18.8dB do RF dos transistor de ASI MRF9045LR1

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