Original bipolar do si dos transistor de MRF9045LR1TRANSISTORS RF no estoque
O ASI MRF9045LR1 está a uma alta tenso, ouro-metalizada,
semicondutor de óxido de metal lateralmente difundido. Ideal para
de hoje
Aplicações do amplificador de potência do RF.
| Transistor do MOSFET do RF |
RoHS: | Detalhes |
| N-canal |
| Si |
| 4,25 A |
| 65 V |
| 945 megahertz |
| DB 18,8 |
| 60 W |
| SMD/SMT |
| NI-360 |
| Bandeja |
Configuraço: | Único |
Transcondutncia dianteira - minuto: | 3 S |
Paládio - dissipaço de poder: | 117 W |
Tipo de produto: | Transistor do MOSFET do RF |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo: | MOSFET do poder do RF |
Vgs - tenso da Porta-fonte: | 15 V |
Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte: | 4,8 V |
Peso de unidade: | 0,032480 onças |
Dois típicos•
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Dados do dispositivo RF
Semicondutor de Freescale
Transistor de efeito de campo do poder do RF
N
−
Realce do canal
−
MOSFETs laterais do modo
Projetado
para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com
frequen-
cies até 1000 megahertz. GA alto
em e desempenho de faixa larga destes
os dispositivos fazem-nos ideais para grande
−
sinal, comum
−
applica- do amplificador da fonte
tions no equipamento da estaço base de 28 volts.
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
No