Transistor bipolares 18.8dB do RF dos transistor de ASI MRF9045LR1
Number modelo:MRF9045LR1
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:L/C, Western Union, palpay
Capacidade da fonte:1000PCS/Months
Prazo de entrega:2-3 dias úteis
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Shenzhen China
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5C, D de construção, distrito da GALÁXIA WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
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Original bipolar do si dos transistor de MRF9045LR1TRANSISTORS RF no estoque
O ASI MRF9045LR1 está a uma alta tenso, ouro-metalizada,
semicondutor de óxido de metal lateralmente difundido. Ideal para de hoje
Aplicações do amplificador de potência do RF.
| Transistor do MOSFET do RF | |
| RoHS: | Detalhes |
| N-canal | |
| Si | |
| 4,25 A | |
| 65 V | |
| 945 megahertz | |
| DB 18,8 | |
| 60 W | |
| SMD/SMT | |
| NI-360 | |
| Bandeja | |
| Configuraço: | Único |
| Transcondutncia dianteira - minuto: | 3 S |
| Paládio - dissipaço de poder: | 117 W |
| Tipo de produto: | Transistor do MOSFET do RF |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo: | MOSFET do poder do RF |
| Vgs - tenso da Porta-fonte: | 15 V |
| Th de Vgs - tenso do ponto inicial da Porta-fonte: | 4,8 V |
| Peso de unidade: | 0,032480 onças |
Dois típicos•
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Dados do dispositivo RF
Semicondutor de Freescale
Transistor de efeito de campo do poder do RF
N
−
Realce do canal
−
MOSFETs laterais do modo
Projetado
para aplicações comerciais e industriais de faixa larga com
frequen-
cies até 1000 megahertz. GA alto
em e desempenho de faixa larga destes
os dispositivos fazem-nos ideais para grande
−
sinal, comum
−
applica- do amplificador da fonte
tions no equipamento da estaço base de 28 volts.
•
Dois típicos
−
Tone Performance em 945 megahertz, 28 volts
Potência de saída — 45 watts de VITALIDADE
Ganho do poder — DB 18,8
Eficiência — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Proteço integrada do ESD
•
Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserço
•
Capaz de segurar o 10:1 VSWR, @ 28 VDC, 945 megahertz, 45 watts de
CW
Potência de saída
•
Estabilidade térmica excelente
•
Caracterizado com o equivalente da série grande
−
Parmetros da impedncia do sinal
•
Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 32 milímetros,
carretel de 13 polegadas.
•
Baixa espessura do chapeamento de ouro em ligações. L sufixo indica
40
′ do ′ do μ
No
Transistor bipolares 18.8dB do RF dos transistor de ASI MRF9045LR1
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