Paralela do armazenamento de dados NVRAM da memória CI de DS1250Y-70IND+ 512kx8
Number modelo:DS1250Y-70IND+
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, união de Westsern, PayPay
Capacidade da fonte:1000PCS/Months
Prazo de entrega:2-3 dias úteis
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Shenzhen China
Endereço:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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No 48 Horas
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Original paralelo do armazenamento de dados NVRAM da memória CI de DS1250Y-70IND+
CARACTERÍSTICAS
10 anos de retenço mínima dos dados no theabsence da alimentaço
externa
Os dados so protegidos automaticamente durante a perda de poder
Substitui 512k x 8 RAM estático, EEPROM ou memória Flash temporária
Ilimitado escreva ciclos
Baixa potência CMOS
Leia e escreva tempos de acesso de 70ns
A fonte de energia do lítio está desligada eletricamente para reter
o frescor até que o poder esteja aplicado pela primeira vez
Completamente escala de funcionamento VCC de ±10% (DS1250Y)
Escala de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1250AB)
A variaço da temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C,
designou o IND
Pacote do MERGULHO do pino do padro 32 de JEDEC
Pacote do módulo de PowerCap (PCM)
- Módulo diretamente superfície-montável
- Substituível presso-em PowerCap fornece a bateria alternativa do
lítio
- Pinout estandardizado para todos os produtos permanentes de SRAM
- A característica do destacamento no PCM permite a remoço fácil
usando uma chave de fenda regular
| Atributo de produto | Valor de atributo |
| Categoria de produto: | NVRAM |
| Pacote/caso: | EDIP-32 |
| Tipo de relaço: | Paralelo |
| Tamanho de memória: | 4 Mbit |
| Organizaço: | 512 k x 8 |
| Largura do ônibus de dados: | bocado 8 |
| Tempo de acesso: | 70 ns |
| Tenso de fonte - máxima: | 5,5 V |
| Tenso de fonte - minuto: | 4,5 V |
| Corrente da fonte de funcionamento: | 85 miliampères |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 40 C |
| Temperatura de funcionamento máximo: | + 85 C |
| Série: | DS1250Y |
| Empacotamento: | Tubo |
| Altura: | 9,4 milímetros |
| Comprimento: | 43,69 milímetros |
| Montando o estilo: | Através do furo |
| Tenso de fonte do funcionamento: | 5 V |
| Tipo de produto: | NVRAM |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 11 |
| Subcategoria: | Armazenamento de dados da memória & |
| Tipo: | NVSRAM |
| Largura: | 18,8 milímetros |
| Parte # pseudônimos: | DS1250Y 90-1250Y+07I |
| Peso de unidade: | 31,592 g |
Paralela do armazenamento de dados NVRAM da memória CI de DS1250Y-70IND+ 512kx8
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