Chip de memória 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V de SRAM 2Mb EMMC
Number modelo:IS61LV2568L-10T
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, PayPay
Capacidade da fonte:1000PCS/Months
Prazo de entrega:2-3 dias úteis
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Shenzhen China
Endereço:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
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IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
CARACTERÍSTICAS
• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10 ns
• Atual de funcionamento: 50mA (tipo.)
• Corrente espera: 700µA (tipo.)
• Pinos múltiplos do poder e da terra do centro para a maior imunidade de ruído
• Expanso de memória fácil com opções do CE e do OE
• Poder-para baixo do CE
• Entradas e saídas compatíveis de TTL
• Única fonte de alimentaço 3.3V
• Pacotes disponíveis: – pino 36 SOJ de 400 mil. – 44 pino TSOP (tipo II)
• Disponível sem chumbo
DESCRIÇO
O ISSI IS61LV2568L é uma muito de alta velocidade, baixa potência, palavra 262.144 por CMOS de 8 bits RAM estático. O IS61LV2568L é fabricado usando a tecnologia de capacidade elevada do CMOS de ISSI.
Este processo altamente confiável acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, rende dispositivos do consumo de um desempenho mais alto e de uma baixa potência. Quando o CE for ALTAMENTE (deselected), o dispositivo supõe um modo espera em que a dissipaço de poder pode ser reduzida para baixo a 36mW (máximo) com níveis de entrada do CMOS.
O IS61LV2568L opera-se de uma única fonte de alimentaço 3.3V e todas as entradas so TTL-compatíveis. O IS61LV2568L está disponível no pino 36 SOJ de 400 mil. e 44 pacotes do pino TSOP (tipo II).
| SRAM | |
| RoHS: | N |
| 2 Mbit | |
| 256 k x 8 | |
| 10 ns | |
| Paralelo | |
| 3,63 V | |
| 2,97 V | |
| 60 miliampères | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| SMD/SMT | |
| TSOP-44 | |
| Bandeja | |
| Tipo: | ISSI |
| Taxa de dados: | SDR |
| Umidade sensível: | Sim |
| Número de portos: | 1 |
| Tipo de produto: | SRAM |
| Série: | IS61LV2568L |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 135 |
| Subcategoria: | Armazenamento de dados da memória & |
| Tipo: | Assíncrono |
Chip de memória 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V de SRAM 2Mb EMMC
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