DMN5L06DWK7 do canal duplo do canal 2 do MOSFET os transistor pequenos do smd do kdk do sinal N surgem transistor do modo

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Características

MOSFET duplo do N-canal do 

baixa Em-resistência do  (1.0V máximos)

tenso mesma do ponto inicial da porta do  baixa

baixa capacidade entrada do 

velocidade de comutaço rápida do 

escapamento do entrada/saída do  baixo

pacote de superfície Ultra-pequeno da montagem do 

o  ESD protegeu até 2kV

 totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS complacente (notas 1 & 2)

halogênio e antimônio do  livres. Dispositivo “verde” (nota 3)

o  qualificou aos padrões AEC-Q101 para Reliabilit alto

Dados mecnicos

caso do : SOT363

material do caso do : Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificaço da inflamabilidade do UL que avalia 94V-0

sensibilidade de umidade do : Ao nível 1 por J-STD-020

conexões terminais do : Veja o diagrama

terminais do : Revestimento – Matte Tin Annealed sobre a liga 42 Leadframe. Solderable por MIL-STD-202, método 208

peso do : 0,006 gramas (aproximado)

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Nós fornecemos produtos e serviço em todas as áreas da indústria eletrónica, incluindo: automotivo, médico, produtos eletrónicos de consumo, controle industrial, Internet das coisas, energia nova, comunicações, militares e assim por diante.