Armazenamento de dados da memória de AS4C32M16SC-7 TIN Dynamic Random Access Memory C8051F350-GQ AD7276BRMZ

Number modelo:AS4C32M16SC-7TIN
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:10pcs
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Capacidade da fonte:10000pcs/months
Prazo de entrega:dias 1-3week
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Armazenamento de dados da memória de AS4C32M16SC-7 TIN Dynamic Random Access Memory C8051F350-GQ AD7276BRMZ

 

Características

•Taxa de pulso de disparo rápida: 133 megahertz

• Registros de modo programáveis - CAS Latency: 1 ou 2 ou 3 - BurstLength: 1,2,4,8, ou fullpage - tipo estourado: Sequentialor intercalou

• O automóvel refresca e o auto refresca

• 8192 refrescam cycles/64ms (7,8 µs) T≦85°C

• Do poder modo para baixo

• Única fonte de alimentaço de +3.3V±0.3V

• Variaço da temperatura de funcionamento: - Industrial: Ta = -40~85°C

• Relaço: LVTTL

• - O Pb livre e síncrono livre do halogênio inteiramente aos bancos positivos da borda de pulso de disparo quatro controlados pela exploso BA0 & BA1 múltipla leram com único escrevem a máscara automática e controlada da operaço da pré-carga do comando dos dados para a máscara de leitura/gravaço dos dados do controle (x8, x16, x32) para o endereço de coluna aleatório do controle do byte (x16, x32) cada CLK (regra 1-N) disponível em 86/54 de pacote plástico do Pin 400 mil. TSOP II, TSOPII-54 (x8, x16) TSOPII-86 (x32)

 

Descriço

Os AS4C16M32SC-7TIN, os AS4C32M16SC-7TIN e os AS4C64M8SC-7TIN so quatro goles síncronos do banco organizadas como 4 bancos x 4MBit x32, 4 bancos x 8Mbit os bancos x de x 16 e 4 16MBit x 8MBit x 8 respectivamente. Estes dispositivos síncronos conseguem taxas de transferência de dados de alta velocidade para latências de CAS empregando uma arquitetura de microplaqueta que os bocados múltiplos dos prefetches e sincronizem ento os dados de saída a um pulso de disparo de sistema.

 

O dispositivo é projetado cumprir com todos os padrões do setor ajustados para produtos síncronos da GOLE, eletricamente e mecanicamente. Todo o controle, endereço, entrada dos dados e circuitos de saída so sincronizados com a borda positiva externamente forneceram o pulso de disparo

 

Está operando os quatro bancos de memória em uma forma da intercalaço permite que a operaço de acesso aleatório ocorra em uma taxa mais alta do que possível com goles padro. Uma taxa de dados sequencial e gapless é possível segundo o comprimento, a latência de CAS e a categoria estourados da velocidade do dispositivo.

 

O automóvel refresca (CBR) e o auto refresca a operaço é apoiado. Estes dispositivos operam-se com uma única 3,3 fonte de alimentaço do ± 0,3 V de V. Todos os componentes 512-Mbit esto disponíveis em pacotes de TSOPII- [86/54].

 

 

Categoria de produto:GOLE
SDRAM
SMD/SMT
TSOP-54
bocado 16
32 M x 16
512 Mbit
133 megahertz
17 ns
3,6 V
3 V
60 miliampères
- 40 C
+ 85 C
AS4C32M16SC
Bandeja
Tipo:Memória de Alliance
Umidade sensível:Sim
Tipo de produto:GOLE
Quantidade do bloco da fábrica:108
Subcategoria:Armazenamento de dados da memória &
China Armazenamento de dados da memória de AS4C32M16SC-7 TIN Dynamic Random Access Memory C8051F350-GQ AD7276BRMZ supplier

Armazenamento de dados da memória de AS4C32M16SC-7 TIN Dynamic Random Access Memory C8051F350-GQ AD7276BRMZ

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