microplaqueta brilhantea 350ma 2v da luz do diodo emissor de luz de 3030 720-740nm Smd

Number modelo:CERAMIC3030
Lugar de origem:SUZHOU
Quantidade de ordem mínima:5000pcs
Termos do pagamento:Western Union, MoneyGram, T/T
Capacidade da fonte:4000K POR o MÊS
Prazo de entrega:7-10 dias
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Suzhou Jiangsu China
Endereço: Bld#20, NENHUMA estrada de 88 Lingshan, distrito de wuzhong, suzhou, jiangsu, China
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MICROPLAQUETA do DIODO EMISSOR DE LUZ de 2V 350MA 1.5W CERAMIC3030 0.4-0.6LM 720-740NM SMD PARA a ILUMINAÇO da PLANTA

Característica

A planta profissional conduziu:
Escuro - (660 nanômetro) as versões azuis (450 nanômetro) e ultra vermelhas fornecem a luz exigida para a fotossíntese
A verso do infravermelho distante (730 nanômetro) pode controlar o processo inteiro de plantas da germinaço ao crescimento vegetativo e ento ao flowerin
A luz branca de EQ pode realizar o ambiente de trabalho humanizado
Eficiência de alta energia (μ mol/J)
Elevaço máxima da corrente de movimentaço
Baixa resistência térmica
ngulos múltiplos da radiaço - 80 120 do ° e 150 da iluminaço do ° características largas do °,
Pacote cermico altamente confiável com resistência longa da vida útil e de corroso
Áspero mesmo em ambientes molhados
Além, igualmente fornece a luz azul, a luz verde verdadeira, a luz amarela, a luz vermelha e as outras versões, que so apropriadas para necessidades de iluminaço especiais
Calor o melhor/coeficiente frio do fluxo (85 ° C ~ 25 ° C)

 

Avaliações máximas

Parmetro                                                                     Símbolo                                                  Valores

Temperatura de funcionamento

Parte superior

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 125

Temperatura de armazenamento

Tstg

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 125

Temperatura de junçoTmáximo.°C 135
Corrente dianteiraMim

mínimo.

máximo.

100 miliampères

500 miliampères

Corrente de impulso

µs do ≤ 10 de t; D = 0,005; TJ = °C 25

FSmáximo.700 miliampères
Tenso reversa 2)V No projetado para a operaço reversa

O ESD suporta a tenso

CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, classe 3B)

ESD 8 quilovolts

 

Características

I = 700 miliampères; TJ = °C 25

Parmetro                                                                     Símbolo                                                Valores

Comprimento de onda máximoλpeak                     tipo.                        730 nanômetro

Comprimento de onda do centroide 3)

I = 350 miliampères

λcentroid                mínimo                       710 nanômetro

                               tipo.                        727 nanômetro

                               máximo                      740 nanômetro

Comprimento de onda dominante 3)

I = 350 miliampères

λdom                      tipo.                        35 nanômetro
Largura de banda espectral no rel, máximo∆λ                           tipo.                         20 nanômetro
ngulo de viso em 50% IV2φ                           tipo.                        ° 140

Tenso dianteira 4)

I = 350 miliampères

1.8V

2.00V

2.30V

Corrente reversa 2)No projetado para a operaço reversa
Junço elétrica/solderpoint da resistência térmica com ηe da eficiência = 74%RthJS elétrico             tipo.                         1,3 K/W

 

Grupos da tenso dianteira

Tenso dianteira do grupo 4)

I = 350 miliampères

   
1,80 V1,90 V
1,90 V2,00 V
2,00 V2,10 V
2,10 V2,20 V

Centroide

Grupo

Comprimento de onda do centroide 3)

I = 350 miliampères

λcentroid

710NM740NM

 

Emisso espectral relativa

Irel = f (λ); SE = 350 miliampères; TJ = °C 25

Características da radiaço

 

Irel = f (ϕ); TJ = °C 25

 

 

 

 

 

Desenho dimensional

Informações adicionais:

Peso aproximado:         magnésio 28,0

Marcaço do pacote:              nodo

Teste de corroso: Classe:         condiço 3BTest: RH de 40°C/90%/15 ppm de H2S/14 dias (mais restrito do que IEC 60068-2-43)

Conselho do ESD:                       O dispositivo é protegido pelo dispositivo do ESD que é conectado paralelamente microplaqueta.

 

Perfil da solda de Reflow

O produto cumpre ao CRNA do nível 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E

 

Característica do perfil                                            Símbolo              Conjunto Pb-livre (de SnAgCu)         Unidade

                                                                                          Máximo mínimo da recomendaço

Taxa da rampa-acima ao preheat*)                                            2

°C 25 ao °C 150

3K/s

tS                                                                                60                100

T a T

120s

Taxa da rampa-acima ao peak*)

T a T                                                                             2

3K/s
Temperatura TL de Liquidus                                                                217 °C
Tempo acima da temperatura tL do liquidus                                                80100s
Temperatura máxima T                                                                       245260°C

Tempo dentro do °C 5 do pico especificado                        10                  20

temperatura TP - 5 K

30s

Rate* da rampa-para baixo                                                                             3

T ao °C 100

6K/s

Tempo

°C 25 ao TP

480s

 

Todas as temperaturas referem o centro do pacote, medido na parte superior do componente * cálculo DT/Dt da inclinaço: Máximo 5 s do descolamento; realizaço para a T-escala inteira

 

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