Infineon SMD que monta EMI Noise Filter IC LM9061QDRQ1

Number modelo:LM9061QDRQ1
Lugar de origem:N/S
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:9999999+PCS
Prazo de entrega:2-7 dias do trabalho
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Endereço: 7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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EMI Filter IC Texas Instruments /TI LM9061QDRQ1

Módulo de ECADSímbolo, pegada & modelo 3D do PWB
ECCNEAR99
País de origemMalásia
Halogênio livreComplacente
EOL Date calculado2028
Estado da oferta e procuraLimitado
Ameaça falsificada no mercado livre53 pct.
PopularidadeMeio
Fabricante Package8-SOIC
Pacote8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
MontagemSMD
Variaço da temperatura de funcionamento-40°C ~ 125°C (TJ)
Data de introduço24 de novembro de 2014
Tenso da lógica - VIL, VIH1.5V, 3.5V
Tipo da portaMOSFET do N-canal
Número de motoristas1
Tipo de canalÚnico
EmpacotamentoCarretel - TR
Nome de famíliaLM9061
FabricanteTexas Instruments
CategoriasCircuitos integrados (CI)
Tenso de fonte do funcionamento7 V ~ 26 V
Configuraço conduzidaAlto-lado
SérieAutomotivo, AEC-Q100

Características para o LM9061-Q1

  • Qualificado para aplicações automotivos
  • AEC-Q100 qualificou com os seguintes resultados:
    • Nível 2 da classificaço de HBM ESD do dispositivo
    • Nível C4B da classificaço do dispositivo CDM ESD
  • Suporta transeuntes da fonte 60-V
  • A sobretenso cortou com VCC > 30 V
  • Trava-FORa sem perda da proteço da sobrecarga
    • O resistor atual do sentido no é exigido
    • Minimiza a perda de poder com cargas atuais altas
  • Atraso programável da trava-FORa da proteço
  • Turnoff gradual para minimizar tensões transientes da carga indutiva
  • CMOS Lógica-compatível e FORA da entrada de controle

Descriço para o LM9061-Q1

A família LM9061 consiste em dispositivos da carga-bomba que fornece a movimentaço da porta a um MOSFET da alimentaço externa de todo o tamanho configurou como um motorista ou um interruptor do alto-lado. Isto inclui MOSFETs conectados paralelos múltiplos para aplicações atuais muito altas. Um CMOS lógica-compatível e FORA de controles de entrada a tenso da movimentaço da porta de saída. No no estado, a tenso da bomba de carga, que está bem acima da fonte VCC disponível, é aplicada diretamente porta do MOSFET. Um 15-V incorporado Zener aperta a porta máxima tenso da fonte do MOSFET. Quando comandado FORA de um dissipador 110-µA atual descarrega as capacidades da porta do MOSFET para que uma característica gradual do turnoff minimize a duraço de tensões transientes da carga indutiva e protejam mais o MOSFET do poder.

A proteço sem perda do MOSFET do poder é uma característica chave do LM9061. A queda de tenso (VDS) através do dispositivo de poder continuamente é monitorada e comparada contra uma tenso externamente programável do ponto inicial. Um resistor dedetecço pequeno com a carga, que causa uma perda de energia disponível, no é exigido em série para os circuitos da proteço. Se o VDSvoltage, devido corrente excessiva da carga, excede a tenso do ponto inicial, a saída está travada FORA em uma forma mais gradual (através de um dissipador da corrente de saída 10-µA) após um intervalo de tempo programável do atraso.

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Infineon SMD que monta EMI Noise Filter IC LM9061QDRQ1

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