O MOSFET do transistor do SI CSD75207W15 põe Pin duplo DSBGA T/R de P CH 3.9A 9
Number modelo:CSD75207W15
Lugar de origem:Filipinas
Quantidade de ordem mínima:Qty do pacote
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:1000+
Prazo de entrega:2 semanas
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Shenzhen China
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Detalhes do produto
O MOSFET do transistor do SI CSD75207W15 põe P-CH duplo 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
Especificações técnicas do produto
| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| SVHC | Sim |
| Automotivo | No |
| PPAP | No |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Configuraço | Duplo |
| Tecnologia de processamento | NexFET |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos pela microplaqueta | 2 |
| Tenso de fonte de porta máxima (v) | -6 |
| Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 1,1 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 3,9 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 54@4.5V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 2,9 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 458 |
| Dissipaço de poder máxima (mW) | 700 |
| Tempo de queda típico (ns) | 16 |
| Tempo de elevaço típico (ns) | 8,6 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 32,1 |
| Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 12,8 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Pacote do fornecedor | DSBGA |
| Pin Count | 9 |
| Nome do pacote padro | BGA |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 0,28 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 1,5 |
| Largura do pacote | 1,5 |
| O PWB mudou | 9 |
| Forma da ligaço | Bola |
O MOSFET do transistor do SI CSD75207W15 põe Pin duplo DSBGA T/R de P CH 3.9A 9
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