MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch
Number modelo:IPB200N25N3
Lugar de origem:CHINA
MPN:IPB200N25N3
MFR:Infineon
Categoria:MOSFET
Tamanho:4.57*10.31*9.45mm
Contate
Add to Cart
Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Centro A-702 da logística internacional, estrada do Sul da China do no. 1, ShenZhen, China
Fornecedor do último login vezes:
No 2 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin do transporte de IPB200N25N3 Infineon (2+Tab) D2PAK T/R
Especificações técnicas do produto
| UE RoHS | Complacente com isenço |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| SVHC | Sim |
| SVHC excede o ponto inicial | Sim |
| Automotivo | No |
| PPAP | No |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Configuraço | Único |
| Tecnologia de processamento | OptiMOS 3 |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 250 |
| Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 64 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 20@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 64@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 64 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 5340@100V |
| Dissipaço de poder máxima (mW) | 300000 |
| Tempo de queda típico (ns) | 12 |
| Tempo de elevaço típico (ns) | 20 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 45 |
| Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 18 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 175 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padro | TO-263 |
| Pacote do fornecedor | D2PAK |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 4,57 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 10,31 (máximo) |
| Largura do pacote | 9,45 (máximo) |
| O PWB mudou | 2 |
| Aba | Aba |
MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch
Inquiry Cart
0