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UE RoHS | Complacente com isenço |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
SVHC | Sim |
SVHC excede o ponto inicial | Sim |
Automotivo | No |
PPAP | No |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Configuraço | Único |
Tecnologia de processamento | CoolMOS |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | N |
Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 900 |
Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 3,5 |
Temperatura de junço de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 5,1 |
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
IDSS máximo (A) | 1 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 1200@10V |
Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 28@10V |
Carga típica @ 10V da porta (nC) | 28 |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 710@100V |
Dissipaço de poder máxima (mW) | 83000 |
Tempo de queda típico (ns) | 40 |
Tempo de elevaço típico (ns) | 20 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 400 |
Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 70 |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Tenso de fonte de porta positiva máxima (v) | 20 |
Tenso dianteira do diodo máximo (v) | 1,2 |
Pin Count | 3 |
Nome do pacote padro | TO-252 |
Pacote do fornecedor | DPAK |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 2,41 (máximo) |
Comprimento do pacote | 6,73 (máximo) |
Largura do pacote | 6,22 (máximo) |
O PWB mudou | 2 |
Aba | Aba |
Forma da ligaço | Gaivota-asa |