MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

Number modelo:IPD90R1K2C3
Lugar de origem:CHINA
MPN:IPD90R1K2C3
MFR:Infineon
Categoria:MOSFET
Tamanho:2.41*6.73*6.22mm
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Shenzhen China
Endereço: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin do transporte de IPD90R1K2C3 Infineon (2+Tab) DPAK T/R

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente com isenço
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
SVHCSim
SVHC excede o ponto inicialSim
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoMOSFET do poder
ConfiguraçoÚnico
Tecnologia de processamentoCoolMOS
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)900
Tenso de fonte de porta máxima (v)±20
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)3,5
Temperatura de junço de funcionamento (°C)-55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual5,1
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)100
IDSS máximo (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm)1200@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)28@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC)28
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)710@100V
Dissipaço de poder máxima (mW)83000
Tempo de queda típico (ns)40
Tempo de elevaço típico (ns)20
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)400
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)70
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
EmpacotamentoFita e carretel
Tenso de fonte de porta positiva máxima (v)20
Tenso dianteira do diodo máximo (v)1,2
Pin Count3
Nome do pacote padroTO-252
Pacote do fornecedorDPAK
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote2,41 (máximo)
Comprimento do pacote6,73 (máximo)
Largura do pacote6,22 (máximo)
O PWB mudou2
AbaAba
Forma da ligaçoGaivota-asa
China MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi supplier

MOSFET do poder superior IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R do módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

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