Pin SOT-23 T/R do si 12V 4.3A 3 do Mosfet P Ch de IRLML6401TRPBF Infineon
Number modelo:IRLML6401TRPBF
Lugar de origem:CHINA
MPN:IRLML6401TRPBF
MFR:Infineon
Categoria:MOSFET
Tamanho:1.02*3.04*1.4mm
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Shenzhen China
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R do MOSFET P-CH do transporte de IRLML6401TRPBF Infineon
Especificações técnicas do produto
| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| Automotivo | No |
| PPAP | No |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Material | Si |
| Configuraço | Único |
| Tecnologia de processamento | HEXFET |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 12 |
| Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±8 |
| Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 0,95 |
| Temperatura de junço de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 4,3 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 50@4.5V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 10@5V |
| Porta típica para drenar a carga (nC) | 2,6 |
| Porta típica carga da fonte (nC) | 1,4 |
| Carga reversa típica da recuperaço (nC) | 8 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 830@10V |
| Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF) | 125@10V |
| Tenso mínima do ponto inicial da porta (v) | 0,4 |
| Capacidade de saída típica (PF) | 180 |
| Dissipaço de poder máxima (mW) | 1300 |
| Tempo de queda típico (ns) | 210 |
| Tempo de elevaço típico (ns) | 32 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 250 |
| Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 11 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a) | 34 |
| Resistência térmica ambiental da junço máxima em PWB (°C/W) | 100 |
| Tenso típica do platô da porta (v) | 1,7 |
| Tempo de recuperaço reversa típico (ns) | 22 |
| Tenso dianteira do diodo máximo (v) | 1,2 |
| Tenso típica do ponto inicial da porta (v) | 0,55 |
| Tenso de fonte de porta positiva máxima (v) | 8 |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padro | ÉBRIO |
| Pacote do fornecedor | SOT-23 |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 1,02 (máximo) |
| Comprimento do pacote | 3,04 (máximo) |
| Largura do pacote | 1,4 (máximo) |
| O PWB mudou | 3 |
| Forma da ligaço | Gaivota-asa |
Pin SOT-23 T/R do si 12V 4.3A 3 do Mosfet P Ch de IRLML6401TRPBF Infineon
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