Detalhes do produto
MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de 2N7002LT1G
ONSEMI
Os MOSFETs do semicondutor foram projetados SOBRE minimizar o
quando da resistência do em-estado fornecem o desempenho de
comutaço áspero, seguro, e rápido. Sua dissipaço de poder máxima é
300 mW. A tenso máxima da fonte do dreno do produto é 60 V e a
tenso de fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variaço da
temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C.
Características e benefícios:
• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem
exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101
qualificou e PPAP capaz (2V7002L)
• Estes dispositivos so Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e so
RoHS complacente
Aplicaço:
• Controlo do motor servo
• Motoristas da porta do MOSFET do poder
Especificações técnicas do produto
| UE RoHS | Complacente |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| Automotivo | No |
| PPAP | No |
| Categoria de produto | Sinal pequeno |
| Configuraço | Único |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 60 |
| Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
| Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 2,5 |
| Temperatura de junço de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 0,115 |
| Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (A) | 1 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm) | 7500@10V |
| Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF) | 5 @25V (máximos) |
| Tenso mínima do ponto inicial da porta (v) | 1 |
| Capacidade de saída típica (PF) | 25 (máximo) |
| Dissipaço de poder máxima (mW) | 300 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 40 (máximo) |
| Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 20 (máximo) |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Empacotamento | Fita e carretel |
| Tenso de fonte de porta positiva máxima (v) | 20 |
| Dissipaço de poder máxima em PWB @ TC=25°C (W) | 0,225 |
| Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a) | 0,8 |
| Resistência térmica ambiental da junço máxima em PWB (°C/W) | 556 |
| Tenso dianteira do diodo máximo (v) | 1,5 |
| Pin Count | 3 |
| Nome do pacote padro | ÉBRIO |
| Pacote do fornecedor | SOT-23 |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 0,94 |
| Comprimento do pacote | 2,9 |
| Largura do pacote | 1,3 |
| O PWB mudou | 3 |
| Forma da ligaço | Gaivota-asa |
Perfil da empresa
Limitados da eletrônica do raio de sol (Hong Kong) estabelecidos
2001 começam o HKD do capital 3 milhões, nosso total da equipe tem
48 pessoas e incluir especialista profissional do mercado 15 o
coordenador profissional da fonte da eletrônica e 20.
A linha de produtos principal das eletrônicas do raio de sol é o
SI, DDA, NXP, mícron, microchip, máxima, Murata, Vishay, Toshiba,
Molex, JST, o raio de sol obteve o UTC autorizou o agente 2008, a
seguir obtém o agente autorizado de Lelon, e o Samtec 2012
Forcus principal do negócio na eletrônica de consumo, aplicaço da
casa, poder do interruptor, telecomunicações, controle industrial,
iluminaço automotivo, conduzida. O raio de sol fornece projeto-no
serviço, amostra corrida piloto, análise de componentes. Pode
cumprir exigências completas do projeto da fase dos clientes.
Nosso negócio:
- Compra do ponto para o material urgente
- BOM que kitting para o custo rápido do R&D
- Amostra do protótipo de PCBA para a NPI
- Testes e verificaço de amostra