Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

Number modelo:2N7002LT1G
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Detalhes de empacotamento:fita e carretel
Prazo de entrega:2 semanas
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MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de 2N7002LT1G ONSEMI

 

 

Os MOSFETs do semicondutor foram projetados SOBRE minimizar o quando da resistência do em-estado fornecem o desempenho de comutaço áspero, seguro, e rápido. Sua dissipaço de poder máxima é 300 mW. A tenso máxima da fonte do dreno do produto é 60 V e a tenso de fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variaço da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C.

Características e benefícios:
• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101 qualificou e PPAP capaz (2V7002L)
• Estes dispositivos so Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e so RoHS complacente

Aplicaço:
• Controlo do motor servo
• Motoristas da porta do MOSFET do poder

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoSinal pequeno
ConfiguraçoÚnico
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)60
Tenso de fonte de porta máxima (v)±20
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)2,5
Temperatura de junço de funcionamento (°C)-55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual0,115
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)100
IDSS máximo (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm)7500@10V
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF)5 @25V (máximos)
Tenso mínima do ponto inicial da porta (v)1
Capacidade de saída típica (PF)25 (máximo)
Dissipaço de poder máxima (mW)300
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)40 (máximo)
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)20 (máximo)
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
EmpacotamentoFita e carretel
Tenso de fonte de porta positiva máxima (v)20
Dissipaço de poder máxima em PWB @ TC=25°C (W)0,225
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a)0,8
Resistência térmica ambiental da junço máxima em PWB (°C/W)556
Tenso dianteira do diodo máximo (v)1,5
Pin Count3
Nome do pacote padroÉBRIO
Pacote do fornecedorSOT-23
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote0,94
Comprimento do pacote2,9
Largura do pacote1,3
O PWB mudou3
Forma da ligaçoGaivota-asa
China Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI supplier

Pin SOT-23 T/R dos transistor N-CH 60V 0.115A 3 do Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

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