Pin SOT-23 T/R do transporte N CH 50V 0.2A 3 do Mosfet de BSS138LT1G Onsemi

Number modelo:BSS138LT1G
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:Qty do pacote
Detalhes de empacotamento:fita e carretel
Prazo de entrega:2 semanas
Termos do pagamento:T/T
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Shenzhen China
Endereço: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de BSS138LT1G ONsemi

NO MOSFET do semicondutor é um transistor do MOSFET do canal de N que se opere no modo do realce. Sua dissipaço de poder máxima é 225 mW. A tenso máxima da fonte do dreno do produto é 50 V e a tenso de fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variaço da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C.

Características e benefícios:
• Baixa tenso do ponto inicial (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) fazem ideal para aplicações da baixa tenso
• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT-23 salvar o espaço da placa
• Prefixo de BVSS para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101 qualificou e PPAP capaz
• Estes dispositivos so Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e so RoHS complacente

Aplicaço:
• Conversores de DC-DC
• Gesto do poder em produtos portáteis e a pilhas tais como computadores
• Impressoras
• Cartões de PCMCIA
• Telefones celulares e sem corda.

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
HTS8541.21.00.95
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoMOSFET do poder
ConfiguraçoÚnico
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)50
Tenso de fonte de porta máxima (v)±20
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)1,5
Temperatura de junço de funcionamento (°C)-55 a 150
Dreno contínuo máximo (a) atual0,2
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)100
IDSS máximo (A)0,5
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm)3500@5V
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)40@25V
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF)3,5
Tenso mínima do ponto inicial da porta (v)0,85
Capacidade de saída típica (PF)12
Dissipaço de poder máxima (mW)225
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)20 (máximo)
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)20 (máximo)
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
EmpacotamentoFita e carretel
Tenso de fonte de porta positiva máxima (v)20
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a)0,8
Tenso típica do platô da porta (v)1,9
Pin Count3
Nome do pacote padroÉBRIO
Pacote do fornecedorSOT-23
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote0,94
Comprimento do pacote2,9
Largura do pacote1,3
O PWB mudou3
Forma da ligaçoGaivota-asa
Amplifique sinais eletrônicos e comute-os entre eles com a ajuda no MOSFET do poder do BSS138LT1G do semicondutor. Sua dissipaço de poder máxima é 225 mW. A fim assegurar a entrega segura e permitir a montagem rápida deste componente após a entrega, será encerrada na fita e no carretel que empacotam durante a expediço. Este transistor do MOSFET tem uma variaço da temperatura de funcionamento do °C -55 aos 150 °C. Este dispositivo utiliza a tecnologia dos tmos. Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.
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Pin SOT-23 T/R do transporte N CH 50V 0.2A 3 do Mosfet de BSS138LT1G Onsemi

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