Detalhes do produto
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R do transporte de BSS138LT1G
ONsemi
NO MOSFET do semicondutor é um transistor do MOSFET do canal de N
que se opere no modo do realce. Sua dissipaço de poder máxima é 225
mW. A tenso máxima da fonte do dreno do produto é 50 V e a tenso de
fonte de porta é ±20 V. Este MOSFET tem uma variaço da temperatura
de funcionamento de -55°C a 150°C.
Características e benefícios:
• Baixa tenso do ponto inicial (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) fazem ideal
para aplicações da baixa tenso
• O pacote de superfície diminuto da montagem SOT-23 salvar o
espaço da placa
• Prefixo de BVSS para aplicações automotivos e outras que exigem
exigências originais da mudança do local e de controle; AEC-Q101
qualificou e PPAP capaz
• Estes dispositivos so Pb-livres, o halogênio Free/BFR livres e so
RoHS complacente
Aplicaço:
• Conversores de DC-DC
• Gesto do poder em produtos portáteis e a pilhas tais como
computadores
• Impressoras
• Cartões de PCMCIA
• Telefones celulares e sem corda.
Especificações técnicas do produto
UE RoHS | Complacente |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
HTS | 8541.21.00.95 |
Automotivo | No |
PPAP | No |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Configuraço | Único |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | N |
Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
Tenso máxima da fonte do dreno (v) | 50 |
Tenso de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v) | 1,5 |
Temperatura de junço de funcionamento (°C) | -55 a 150 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 0,2 |
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) | 100 |
IDSS máximo (A) | 0,5 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 3500@5V |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 40@25V |
Capacidade reversa típica @ Vds de transferência (PF) | 3,5 |
Tenso mínima do ponto inicial da porta (v) | 0,85 |
Capacidade de saída típica (PF) | 12 |
Dissipaço de poder máxima (mW) | 225 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 20 (máximo) |
Tempo de atraso de ligaço típico (ns) | 20 (máximo) |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Tenso de fonte de porta positiva máxima (v) | 20 |
Máximos pulsados drenam a corrente @ TC=25°C (a) | 0,8 |
Tenso típica do platô da porta (v) | 1,9 |
Pin Count | 3 |
Nome do pacote padro | ÉBRIO |
Pacote do fornecedor | SOT-23 |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 0,94 |
Comprimento do pacote | 2,9 |
Largura do pacote | 1,3 |
O PWB mudou | 3 |
Forma da ligaço | Gaivota-asa |
Amplifique sinais eletrônicos e comute-os entre eles com a ajuda no
MOSFET do poder do BSS138LT1G do semicondutor. Sua dissipaço de
poder máxima é 225 mW. A fim assegurar a entrega segura e permitir
a montagem rápida deste componente após a entrega, será encerrada
na fita e no carretel que empacotam durante a expediço. Este
transistor do MOSFET tem uma variaço da temperatura de
funcionamento do °C -55 aos 150 °C. Este dispositivo utiliza a
tecnologia dos tmos. Este transistor do MOSFET do canal de N
opera-se no modo do realce.