FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA

Number modelo:NX7002AK
Lugar de origem:CHINA
Quantidade de ordem mínima:Qty do pacote
Detalhes de empacotamento:fita e carretel
Prazo de entrega:2 semanas
Termos do pagamento:T/T
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 2 Horas
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O transistor do efeito de campo do modo do realce do N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) em um SOT23 pequeno (TO-236AB) Superfície-montou D

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
SVHCSim
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoSinal pequeno
ConfiguraçoÚnico
Tecnologia de processamentoTMOS
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)60
Tenso de fonte de porta máxima (v)20
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)2,1
Dreno contínuo máximo (a) atual0,19
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)2000
IDSS máximo (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm)4500@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)0.33@4.5V
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)15@10V
Dissipaço de poder máxima (mW)325
Tempo de queda típico (ns)5
Tempo de elevaço típico (ns)7
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)11
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)6
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
EmpacotamentoFita e carretel
Pacote do fornecedorSOT-23
Pin Count3
Nome do pacote padroÉBRIO
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote1 (máximo)
Comprimento do pacote3 (máximo)
Largura do pacote1,4 (máximo)
O PWB mudou3
Forma da ligaçoGaivota-asa
China FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA supplier

FET SOT23 TO-236AB D montado superfície do transistor de efeito de campo de NX7002AK NEXPERIA

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