TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash paralelo 1.8V 1G mordeu 128M x 8 67 Pin VFBGA

Number modelo:TC58NYG0S3HBAI6
Lugar de origem:Tailândia
Quantidade de ordem mínima:Qty do pacote
Detalhes de empacotamento:fita e carretel
Prazo de entrega:2 semanas
Termos do pagamento:T/T
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço: Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 2 Horas
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Detalhes do produto

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente
ECCN (E.U.)3A991.b.1.a
Estado da parteAtivo
AutomotivoDesconhecido
PPAPDesconhecido
Tipo da pilhaNAND
Chip Density (bocado)1G
ArquiteturaSectored
Bloco de botaNo
Organizaço do blocoSimétrico
Largura do ônibus de endereço (bocado)28
Tamanho de setor128Kbyte x 1024
Tamanho de página2Kbyte
Número de bocados/palavra (bocado)8
Número de palavras128M
ProgrammabilitySim
Tipo cronometrandoAssíncrono
O máximo apaga o tempo (s)0.01/Block
Tempo de programaço máximo (Senhora)0,7
Tecnologia de processamentoCMOS
Tipo de relaçoParalelo
Tenso de fonte mínima (v) do funcionamento1,7
Tenso de fonte típica (v) do funcionamento1,8
Tenso de fonte máxima (v) do funcionamento1,95
Tenso de programaço (v)1,7 a 1,95
Atual de funcionamento (miliampère)30
Corrente do programa (miliampère)30
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-40
Temperatura de funcionamento máximo (°C)85
Comando compatívelNo
Apoio da CCESim
Apoio do modo de páginaNo
Pacote do fornecedorVFBGA
Pin Count67
MontagemMontagem de superfície
Altura do pacote0,7 (máximo)
Comprimento do pacote8
Largura do pacote6,5
O PWB mudou67
China TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash paralelo 1.8V 1G mordeu 128M x 8 67 Pin VFBGA supplier

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash paralelo 1.8V 1G mordeu 128M x 8 67 Pin VFBGA

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