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C-plano 1102 do R-plano 0001 Sapphire Wafer For IR e aplicações UV do comprimento de onda
O método do crescimento refere o processo por que o lingote de única safira de cristal é produzido. Para a maioria de bolachas da safira este é o método de Kyropoulos (abreviado s KY ou ao Kr). O método de Kyropoulos é uma continuaço do método de Czochralski (CZ) que é usado na fabricaço de bolachas de silicone. O método do Kr permite a produço de lingotes muito grandes de única safira de cristal que podem ento ser processados em bolachas.
Os cortes típicos da safira so o R-plano (1102), o C-plano (0001), o Um-plano (1120), o M-plano (1010) e o N-plano (1123). A orientaço afeta as propriedades físicas das bolachas da safira – e em particular como integram e os fósforos da estrutura com outros materiais.
PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Escala de transmisso | 0,17 a 5,5 mícrons |
R.I. | 1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons |
Perda de reflexo | em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
Posicione da absorço | 0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons |
dN/dT | 13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons |
dn/dm = 0 | 1,5 mícrons |
PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Densidade | 3,97 g/cm3 |
Ponto de derretimento | 2040 graus de C |
Condutibilidade térmica | 27,21 com (m x K) em 300 K |
Expanso térmica | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
Capacidade de calor específico | 419 j (quilograma x K) |
Constante dielétrica | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
Módulo Young (e) | 335 GPa |
Módulo da tesoura (g) | 148,1 GPa |
Módulo de maioria (K) | 240 GPa |
Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 |
Limite elástico aparente | MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
Relaço de Poisson | 0,25 |
Orientaço | R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientaço especificada |
Tolerncia da orientaço | ± 0.3° |
Dimetro | 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
Tolerncia do dimetro | 0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
Espessura | 0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
Tolerncia da espessura | 25μm |
Comprimento liso preliminar | 16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
Orientaço lisa preliminar | ± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
TTV | ≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
CURVA | ≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
Front Surface | Epi-lustrado (Ra< 0.3nm para o C-plano, 0.5nm para outras orientações) |
Superfície traseira | Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado |
Empacotamento | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100 |
Verificaço de aceitaço
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