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Bolacha de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric do semicondutor
A safira é um material de uma combinaço original de propriedades físicas, químicas e óticas, que fazem resistente eroso de choque de alta temperatura, térmico, da água e da areia, e de risco. É um material superior da janela para muitas aplicações do IR de 3µm a 5µm. as carcaças da safira do C-plano so amplamente utilizadas crescer compostos de III-V e de II-VI tais como GaN para o diodo emissor de luz e diodos láser azuis, quando as carcaças da safira do R-plano forem usadas para o depósito hetero-epitaxial do silicone para aplicações microeletrónicas de IC.
Artigo | C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers | |
Crystal Materials | 99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline | |
Categoria | Principal, Epi-pronto | |
Orientaço de superfície | C-plano (0001) | |
fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° | ||
Dimetro | 76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros | |
Espessura | μm 500 +/- μm 25 | |
Orientaço lisa preliminar | Um-plano (11-20) +/- 0.2° | |
Comprimento liso preliminar | 22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros | |
Único lateral lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(SSP) | Superfície traseira | Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
Lateral dobro lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(DSP) | Superfície traseira | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
TTV | < 15=""> | |
CURVA | < 15=""> | |
URDIDURA | < 15=""> | |
Limpeza/que empacota | Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, | |
25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
Artigo | C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
Crystal Materials | 99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline | |
Categoria | Principal, Epi-pronto | |
Orientaço de superfície | C-plano (0001) | |
fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° | ||
Dimetro | 100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros | |
Espessura | μm 650 +/- μm 25 | |
Orientaço lisa preliminar | Um-plano (11-20) +/- 0.2° | |
Comprimento liso preliminar | 30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros | |
Único lateral lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(SSP) | Superfície traseira | Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
Lateral dobro lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(DSP) | Superfície traseira | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
TTV | < 20=""> | |
CURVA | < 20=""> | |
URDIDURA | < 20=""> | |
Limpeza/que empacota | Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, | |
25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
Artigo | C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers | |
Crystal Materials | 99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline | |
Categoria | Principal, Epi-pronto | |
Orientaço de superfície | C-plano (0001) | |
fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° | ||
Dimetro | 150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros | |
Espessura | μm 1300 +/- μm 25 | |
Orientaço lisa preliminar | Um-plano (11-20) +/- 0.2° | |
Comprimento liso preliminar | 47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros | |
Único lateral lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(SSP) | Superfície traseira | Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
Lateral dobro lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
(DSP) | Superfície traseira | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
TTV | < 25=""> | |
CURVA | < 25=""> | |
URDIDURA | < 25=""> | |
Limpeza/que empacota | Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, | |
25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
Verificaço de aceitaço