Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

Number modelo:Safira (Al2O3)
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5 peças
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000 partes/mês
Prazo de entrega:1-4 semanas
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Hangzhou Shanghai China
Endereço: Sala 1106, CIBC, n.o 198, Rua Wuxing, Hangzhou, República Popular da China
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Bolacha de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric do semicondutor

 

A safira é um material de uma combinaço original de propriedades físicas, químicas e óticas, que fazem resistente eroso de choque de alta temperatura, térmico, da água e da areia, e de risco. É um material superior da janela para muitas aplicações do IR de 3µm a 5µm. as carcaças da safira do C-plano so amplamente utilizadas crescer compostos de III-V e de II-VI tais como GaN para o diodo emissor de luz e diodos láser azuis, quando as carcaças da safira do R-plano forem usadas para o depósito hetero-epitaxial do silicone para aplicações microeletrónicas de IC.

 

 

Artigo

C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientaço de superfície

C-plano (0001)

fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Dimetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 500 +/- μm 25

Orientaço lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

CURVA

< 15="">

URDIDURA

< 15="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientaço de superfície

C-plano (0001)

fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Dimetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 650 +/- μm 25

Orientaço lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

CURVA

< 20="">

URDIDURA

< 20="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientaço de superfície

C-plano (0001)

fora-ngulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Dimetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Espessura

μm 1300 +/- μm 25

Orientaço lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

CURVA

< 25="">

URDIDURA

< 25="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

 

Verificaço de aceitaço

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Risco de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

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