Lisura de C e limpeza altas planas Sapphire Substrate For Semiconductor
Number modelo:Safira (Al2O3)
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:5 partes
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:10000 partes/mês
Prazo de entrega:1-4 semanas
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Hangzhou Shanghai China
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Sala 1106, CIBC, n.o 198, Rua Wuxing, Hangzhou, República Popular da China
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Lisura alta plana de C e limpeza alta Sapphire Substrate For Semiconductor
As bolachas da safira so principalmente apropriadas para a investigaço e desenvolvimento de dispositivos de semicondutor novos, oferecendo especificações altas tais como a lisura alta e a limpeza alta além do que as categorias padro da carcaça tradicional da safira.
Características principais
• Dureza de grande resistência, alta, resistência de desgaste alta (dureza em segundo somente ao diamante)
• Transmitncia alto (transmitncia claro no ultravioleta escala infravermelha)
• Resistência de corroso alta (tolerncia alta ao ácido, ao alcaloide, ao plasma)
• Isolaço alta (isolador, no fáceis conduzir a eletricidade)
• Condutibilidade de calor da resistência térmica de calor elevado (ponto de derretimento 2050℃) (40 vezes do vidro)
Especificaço
• O tamanho padro (φ2 “, 3", 4", 6", 8", 12 "), o outro tamanho especial, forma de canto e outras formas podem corresponder.
• Pode corresponder a uma variedade de orientaço plana: c-plano, r-plano, m-plano, um-plano
• A moedura frente e verso, único-tomou partido moendo
• Perfuraço customizável
| Crystal Materials | 99.996% de Al2O3, pureza alta, Monocrystalline, Al2O3 | ||||
| Qualidade de cristal | As inclusões, as marcas de bloco, os gêmeos, a cor, as microbolhas e os centros da disperso so inexistentes | ||||
| Dimetro | 2inch | 3inch | 4inch | 5inch ~ 7inch | |
| 50.8± 0.1mm | 76.2±0.2mm | 100±0.3mm | De acordo com as disposições da produço padro | ||
| Espessura | 430±15µm | 550±15µm | 650±20µm | Pode ser personalizado pelo cliente | |
| Orientaço | C- plano (0001) ao M-plano (1-100) ou ao Um-plano (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, R-plano (1-1 0 2), Um-plano (1 1-2 0), M-plano (1-1 0 0), alguma orientaço, algum ngulo | ||||
| Comprimento liso preliminar | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32.5±1.5 milímetro | De acordo com as disposições da produço padro | |
| Orientaço lisa preliminar | ± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0) | ||||
| TTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| LTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| TIR | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| CURVA | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| Urdidura | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| Front Surface | Epi-lustrado (Ra< 0=""> | ||||
| Superfície traseira | Terra fina (Ra=0.5 ao µm 1,2), Epi-lustrada (Ra< 0=""> | ||||
| Nota | Pode fornecer a bolacha de alta qualidade da carcaça da safira de acordo com a exigência específica dos clientes | ||||
PROPRIEDADES FÍSICAS
| Densidade | 3,97 g/cm3 |
| Ponto de derretimento | 2040 graus de C |
| Condutibilidade térmica | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| Expanso térmica | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
| Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
| Capacidade de calor específico | 419 j (quilograma x K) |
| Constante dielétrica | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Módulo Young (e) | 335 GPa |
| Módulo da tesoura (g) | 148,1 GPa |
| Módulo de maioria (K) | 240 GPa |
| Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 C33=498C44=148 |
| Limite elástico aparente | MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
| Relaço de Poisson | 0,25 |
Verificaço de aceitaço
Lisura de C e limpeza altas planas Sapphire Substrate For Semiconductor
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