Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

Number modelo:Bolacha de LNOI
Lugar de origem:CHINA
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Capacidade da fonte:1000 PCes/mês
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Permitindo a modulaço de alta velocidade e a largura de banda larga com probabilidade de intercepço de LNOI

 

Piezo na isolaço (probabilidade de intercepço) refere uma tecnologia onde os materiais piezoelétricos sejam integrados em uma carcaça de isolamento. Isto permite a utilizaço do efeito piezoelétrico ao fornecer o isolamento elétrico. A tecnologia da probabilidade de intercepço permitem o desenvolvimento de vários dispositivos e os sistemas que aproveitam as propriedades originais de materiais piezoelétricos para a detecço, a atuaço, e a energia que colhe aplicações.

 

A tecnologia da probabilidade de intercepço (Piezo na isolaço) encontra várias aplicações nos campos diferentes devido a sua capacidade para combinar as vantagens de materiais piezoelétricos com o isolamento elétrico. Como sensores, sistemas e armazenamento e geraço de energia Microelectromechanical.

 

A versatilidade de integrar materiais piezoelétricos em uma carcaça de isolamento para abrir as possibilidades para soluções inovativas em campos diversos, incluindo a eletrônica, energia, cuidados médicos, e mais.

 

 

Bolacha de LNOI
EstruturaLN/SiO2/siLTV/PLTV< 1="">) do milímetro2do 5/95%
Dimetro± Φ100 0,2 milímetrosBorda Exclution5 milímetros
Espessura500 μm do ± 20CurvaDentro do μm 50
Comprimento liso preliminar± 47,5 2 milímetros
± 57,5 2 milímetros
Aparamento da borda± 2 0,5 milímetros
Chanfradura da bolachaR do tipoAmbientalRohs 2,0
Camada superior de LN
Espessura média400/600±10 nanômetroUniformidade< 40nm="">
Índice da refraçonenhuns > 2,2800, ne < 2="">Orientaço± 0.3° da linha central de X
CategoriaÓticoRa de superfície< 0="">
Defeitos>1mm nenhuns;
1milímetrodentrode300totais
DelaminaçoNenhum
Risco>1cm nenhuns;
1cmdentrode3
Plano preliminarPerpendicular ao ± 1° da linha central de +Y
Isolamento SiO2 camadas
Espessura média2000nm ± 100nm do ± 50nm 4700nm do ± 15nm 3000nmUniformidade<>
Fabuloso. MétodoÓxido térmicoÍndice da refraço1.45-1.47 @ 633 nanômetro
Carcaça
MaterialSiOrientaço<100> ± 1°
Orientaço lisa preliminar<110> ± 1°Resistividade> kΩ 10·cm
Contaminaço da parte traseiraNenhuma mancha visívelParte traseiraGravura em gua forte

 

 

 


 

 

 

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Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

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