FLASH do mícron de M29DW323 M29DW323DT70N6 NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória

Number modelo:M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6T
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:1pieces
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:50000PCS
Prazo de entrega:5 dias de trabalho
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Shenzhen Hongkong China
Endereço: Fl12, distrito Shenzhen China 518000 de LongHua do mundo da torre E XingHe
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FLASH do mícron M29DW323 de M29DW323DT70N6E NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória

- Memória Flash da fonte 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, 8:24 duplo do banco, bloco de bota)


O M29DW323D é uma memória permanente de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) que possa ser lida, apagado e reprogrammed. Estas operações podem ser executadas usando uma única fonte da baixa tenso (2,7 a 3.6V). Na ligaço inicial os defeitos da memória a seu modo lido. O dispositivo caracteriza uma arquitetura assimétrica do bloco. O M29DW323D tem uma disposiço de 8 63 os principais blocos do parmetro e e é dividido em dois bancos, A e B, fornecendo operações duplas do banco. Ao programar ou ao apagar no banco A, leia as operações so possíveis no banco B e vice-versa. Somente um banco de cada vez é permitido estar no programa ou apaga o modo.

M29DW323D tem uns 32 extra KWord (modo x16) ou o bloco de 64 KByte (modo x8), o bloco prolongado, que pode ser alcançado usando um comando dedicado. O bloco prolongado pode ser protegido e assim que é útil para armazenar a informaço de segurança.

Contudo a proteço é irreversível, protegeu uma vez a proteço no pode ser desabotoada

. Cada bloco pode ser apagado independentemente assim que é possível preservar dados válidos quando os dados velhos forem apagados.

Os blocos podem ser protegidos para impedir o programa acidental ou para apagar comandos de alterar a memória.

O programa e para apagar comandos é escrito relaço do comando da memória.

Um programa da em-microplaqueta/apaga o controlador simplifica o processo de programar ou de apagar a memória tomando de todas as operações especiais que so exigidas para atualizar os índices da memória.

O fim de um programa ou para apagar a operaço pode ser detectado e todas as condições de erro identificaram.

O comando ajustado exigido para controlar a memória é consistente com os padrões de JEDEC.

Chip Enable, saída permite e escreve permite o controle de sinais a operaço do ônibus da memória.

Permitem a conexo simples maioria de microprocessadores, frequentemente sem lógica adicional.

A memória é oferecida (passo de 6x8mm, de 0.8mm) nos pacotes TSOP48 (12x20mm), e TFBGA48.


SUMÁRIO DAS CARACTERÍSTICAS:

TENSO DE FONTE
– VCC = 2.7V a 3.6V para o programa, apagam e lido
– VPP =12V para o programa rápido (opcional)


O „ O TEMPO DE ACESSO: 70ns


TEMPO DE PROGRAMAÇO DO „
– 10µs pelo byte/palavra típicos
– Programa quádruplo do byte da palavra dobro


BLOCOS DE MEMÓRIA DO „
– Disposiço dupla da memória do banco: 8Mbit+24Mbit
– O parmetro obstrui (o lugar superior ou inferior)


OPERAÇÕES DUPLAS DO „
– Leia em um programa do quando do banco ou apague em outro


O „ APAGA PARA SUSPENDER e RECOMEÇAR MODOS
– Lido e programa um outro bloco durante para apagar para suspender


O „ DESTRAVA O COMANDO DO PROGRAMA DO DESVIO
– Programaço mais rápida da produço/grupo


PIN do „ VPP/WP para o PROGRAMA RÁPIDO e PARA ESCREVER - PARA PROTEGER


MODO PROVISÓRIO DO BLOCO UNPROTECTION DO „


O FLASH COMUM do „ CONECTA o código de segurança mordido 64


BLOCO DE MEMÓRIA PROLONGADA DO „
– Bloco extra usado como o bloco da segurança ou para armazenar a informações adicionais


Apoio do CONSUMO da BAIXA POTÊNCIA do „ e apoio automático


CICLOS do „ 100.000 PROGRAM/ERASE pelo BLOCO


ASSINATURA ELETRÔNICA DO „
– Fabricante Code: 0020h
– Código de dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
– Código de dispositivo inferior M29DW323DB: 225Fh


Especificaço da PARALELA 48TSOP-M29DW323DT70N6E do FLASH 32MBIT de IC:

CatetoryComponentes eletrônicos
Subcategoria
Circuitos integrados (CI)
Série
Memória
Mfr
Micron Technology Inc.
Pacote
Bandeja
Estado da parte
Obsoleto
Tipo da memória
Permanente
Formato da memória
FLASH
Tecnologia
FLASH - NEM
Tamanho de memória
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Relaço da memória
Paralelo
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
70ns
Tempo de acesso
70 ns
Tenso - fonte
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
48-TSOP
Número baixo do produto
M29DW323

Números do produto relacionado:

Peça de Mfr #TecnologiaTamanho de memóriaPacote do dispositivo
M29DW323DB70N6F TRFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DT70N6F TRFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TRFLASH - NEM256Mb (16M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N3EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70ZE6EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TRFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB7AN6F TRFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TRFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70ZE6EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6EFLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6FLASH - NEM32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP

Informaço pedindo:


Sobre a tecnologia do mícron

O mícron faz as soluções inovativas da memória e do armazenamento que esto ajudando a conduzir de hoje a maioria de descobertas significativas e disruptivas da tecnologia, tais como a inteligência artificial, o Internet das coisas, auto-conduzindo carros, exploraço do espaço medicina-uniforme personalizada. Pela abertura de caminhos de mais rápido e pelas mais maneiras eficazes de recolher, armazenar e controlar dados, esto ajudando a revolucionar e para melhorar a maneira que o mundo se comunica, se aprende e se avança.


Categorias de produto da tecnologia do mícron:


Circuitos integrados (CI)

Cartões de memória, módulos

Ótica eletrónica


Imagem para a referência:



Classificações ambientais & da exportaço

ATRIBUTODESCRIÇO
Estado de RoHSROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL)3 (168 horas)
Estado do ALCANCEALCANCE no afetado
ECCN3A991B1A
HTSUS8542.32.0071


Número da peça de IC dos circuitos integrados dos substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Nós vendemos o portfólio o mais largo da indústria de tecnologias da memória e de armazenamento: GOLE, NAND, e NEM memória CI. Com parcerias da indústria e experiência próximas das soluções da memória, nossa introspecço original dá-nos a capacidade para endereçar suas necessidades mais desafiantes.

Paralela relacionada NEM catálogo de peça instantneo do circuito integrado:

MT28EW128ABA1HJS-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT




China FLASH do mícron de M29DW323 M29DW323DT70N6 NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória supplier

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