MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

Number modelo:BSC070N10NS3GATMA1
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:1pieces
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:5000pcs
Prazo de entrega:5 dias de trabalho
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Fornecedor verificado
Shenzhen Hongkong China
Endereço: Fl12, distrito Shenzhen China 518000 de LongHua do mundo da torre E XingHe
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N-canal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC do MOSFET do poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon


Descriço:

Os MOSFETs do poder do 100V OptiMOS™ de Infineon oferecem soluções superiores para a eficiência elevada, poder-densidade alta SMPS.

Comparado melhor tecnologia seguinte esta família consegue uma reduço de 30% em ambos os R DS (sobre) e em FOM (figura de mérito).


Aplicações potenciais:
Correço síncrono para AC-DC SMPS
Controlo do motor para os sistemas 48V-80V (isto é veículos, ferramentas elétricas, caminhões domésticos)
Conversores isolados de DC-DC (telecomunicações e sistemas do datacom
Interruptores e interruptores do anel-O nos sistemas 48V
Amplificadores audio da classe D
Fontes de alimentaço Uninterruptable (UPS)


Sumário das características:
Desempenho de comutaço excelente
O mais baixo R DS do mundo (sobre)
Baixo gd mesmo de Q g e de Q
Produto excelente da carga x R DS da porta (sobre) (FOM)
Complacente-halogênio de RoHS livre
MSL1 avaliou 2

Benefícios

A favor do meio ambiente
Eficiência aumentada
Densidade de poder o mais alto
Menos paralelizaço exigida
O consumo o menor do placa-espaço
produtos do Fácil--projeto


Especificações:

Categoria
 
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Pacote
Fita & carretel (TR)
Estado da parte
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
100 V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
90A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 75µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
4000 PF @ 50 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote/caso
8-PowerTDFN
Número baixo do produto
BSC070
ParametricsBSC070N10NS3G
Ciss3000 PF
Coss520 PF
Identificaço (@25°C) máximo90 A
IDpuls máximo360 A
Minuto da temperatura de funcionamento máximo-55 °C do °C 150
Ptot máximo114 W
PacoteSuperSO8 5x6
PolaridadeN
QG (tipo @10V)42 nC
RDS (sobre) (@10V) máximomΩ 7
Rth1,1 K/W
VDS máximo100 V
Minuto de VGS (th) máximo2,7 V 2 V 3,5 V

China MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS supplier

MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

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