W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

Number modelo:W9725G6KB-25
Lugar de origem:Taiwan
Quantidade de ordem mínima:1pieces
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:12000pcs
Prazo de entrega:5-8 Trabalhando
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W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

Chip DRAM DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

1. DESCRIÇO GERAL

O W9725G6KB é um SDRAM DDR2 de 256M bits, organizado como 4.194.304 palavras  4 bancos  16 bits.Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.W9725G6KB é classificado nas seguintes classes de velocidade: -18, -25, 25I e -3.As peças de grau -18 esto em conformidade com a especificaço DDR2-1066 (7-7-7).As peças de grau -25 e 25I so compatíveis com a especificaço DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (as peças de grau industrial 25I com garantia de suporte a -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).As peças de grau -3 esto em conformidade com a especificaço DDR2-667 (5-5-5).Todas as entradas de controle e endereço so sincronizadas com um par de relógios diferenciais fornecidos externamente.As entradas so travadas no ponto de cruzamento dos relógios diferenciais (CLK subindo e CLK caindo).Todas as E/Ss so sincronizadas com um único DQS ou par diferencial DQS-DQS de forma síncrona de origem.


2. CARACTERÍSTICAS  Fonte de alimentaço: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V  Arquitetura Double Data Rate: duas transferências de dados por ciclo de clock  Latência CAS: 3, 4, 5, 6 e 7  Comprimento de Burst: 4 e 8  Bi strobes de dados diferenciais direcionais (DQS e DQS) so transmitidos/recebidos com dados  Alinhados na borda com dados de leitura e alinhados no centro com dados de gravaço  DLL alinha as transições DQ e DQS com clock  Entradas de clock diferenciais (CLK e CLK)  Máscaras de dados (DM) para gravaço de dados  Comandos inseridos em cada borda CLK positiva, dados e máscara de dados so referenciados a ambas as bordas do DQS  Latência aditiva programável CAS postada suportada para tornar o comando e a eficiência do barramento de dados  Latência de leitura = Latência aditiva mais CAS Latência (RL = AL + CL)  Ajuste de impedncia Off-Chip-Driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) para melhor qualidade de sinal  Operaço de pré-carga automática para rajadas de leitura e gravaço  Modos de atualizaço automática e atualizaço automática  Desligamento pré-carregado e desligamento ativo  Máscara de dados de gravaço  Latência de gravaço = leitura Latency - 1 (WL = RL - 1)  Interface: SSTL_18  Embalado em WBGA 84 Ball (8x12,5 mm2 ), usando materiais sem chumbo com conformidade com RoHS.


Informações relacionadas ao dispositivo:

TEMPERATURA DE OPERAÇO DO GRAU DE VELOCIDADE NÚMERO DA PEÇA
W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C

Classificações Ambientais e de Exportaço
ATRIBUTODESCRIÇO
Status RoHSCompatível com ROHS3
Nível de sensibilidade umidade (MSL)3 (168 Horas)
ECCNEAR99
HTSUS8542.39.0001


China W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA supplier

W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

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