

Add to Cart
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Retificador Internacional IOR HEXFET MOSFET Canal N 55V 30A DPAK Produtos semicondutores discretos
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Montagem em Superfície D-Pak
Descriço
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.
As características adicionais deste produto so uma temperatura de operaço de junço de 175°C, velocidade de comutaço rápida e classificaço de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
Recursos :
Tecnologia de Processo Avançada Resistência Ultra Baixa 175°C Temperatura de Operaço Troca Rápida Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Número da peça | IRLR3915TRPBF |
Número da peça básica | IRLR3915 |
RoHS da UE | Em conformidade com a isenço |
ECCN (EUA) | EAR99 |
Status da peça | Ativo |
HTS | 8541.29.00.95 |
Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Mfr | Tecnologias Infineon |
Series | HEXFET® |
Pacote | Fita e bobina (TR) |
Status da peça | Ativo |
Tipo FET | Canal N |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Tenso de drenagem para a fonte (Vdss) | 55 V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (Máx.) | ±16V |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 25 V |
Recurso FET | - |
Dissipaço de Energia (Máx.) | 120 W (Tc) |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Montagem em Superfície |
Pacote de dispositivos do fornecedor | D-Pak |
Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 |
Número do produto base | IRLR3915 |