Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N

Number modelo:SIHF10N40D-E3
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10
Termos do pagamento:T/T, Western Union
Capacidade da fonte:500000PCS
Prazo de entrega:2-15days
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Shenzhen Hongkong China
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O transistor do canal dos mosfets N do poder SIHF10N40D-E3 opera-se no modo do realce

A dissipaço de poder máxima do SIHF10N40D-E3 de Vishay é 33000 mW. Este transistor do MOSFET do canal de N opera-se no modo do realce.

Este transistor do MOSFET tem uma temperatura de funcionamento mínima do °C -55 e um máximo de 150 °C.

Se você precisa de amplificar tampouco ou para comutar entre sinais em seu projeto, a seguir o MOSFET do poder do SIHF10N40D-E3 de Vishay é para você.

Especificações técnicas do produto

UE RoHSComplacente
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
HTS8541.29.00.95
AutomotivoNo
PPAPNo
Categoria de produtoMOSFET do poder
ConfiguraçoÚnico
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)400
Tenso de fonte de porta máxima (v)±30
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)5
Dreno contínuo máximo (a) atual10
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)100
IDSS máximo (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm)600@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)15@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC)15
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)526@100V
Dissipaço de poder máxima (mW)33000
Tempo de queda típico (ns)14
Tempo de elevaço típico (ns)18
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)18
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)12
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
Pacote do fornecedorTO-220FP
Pin Count3
Nome do pacote padroTO-220
MontagemAtravés do furo
Altura do pacote16,12 (máximo)
Comprimento do pacote10,63 (máximo)
Largura do pacote4,83 (máximo)
O PWB mudou3
AbaAba
Forma da ligaçoAtravés do furo
Número da peçaSIHF10N40D-E3
Número da peça baixaSIHF10N40
UE RoHSComplacente com isenço
ECCN (E.U.)EAR99
Estado da parteAtivo
HTS8541.29.00.95







Mais número da peça para o semicondutor geral:

Número da peçaMFGTipo de Packge
JW1060JuWellSOP8-E
SL1053SILANSOP8
ST8550DSTTO-92
SS8050DBUSTTO-92
PC847FAIRCHILDDIP-16
PC817AFAIRCHILDDIP-4
PC123FAFIADODIP-4
OB2353OBSOP-8
NE555PSTDIP-8
MC34063EMSOP-8
LM7806STTO-220
LM78051ASTCONCESSO
LM358STSOP-8
LM339STCONCESSO
LM324STSO-14 (SMD)
LM2575TSTTO-220
LM 7815STTO-220
LL4148-GS08STLL34
L7812CVSTTO-220
KA78M09FAIRCHILDTO-252
IRFZ44V2AIRTO-220
IRFP460IRTO-247
IRF840IRTO-220
HEF4013PHILIPSSOP-14
FQPF12N60CFAIRCHILDTO-220F
DTC143ZUAT106ROHMSOT-323
DINS4SHINDENGENDIP-2
IRFR9024NIRTO-252N
BAV99PhilipSOT-23
BA033STROHMSOT252
AM5888SL/FAMTELHSOP-28
93LC66BMICROCHIPDIP-8
93LC46MICROCHIPDIP-8
93C46BMICROCHIPSOP-8
78L05STTO-92
78L05STSOT89
74HC4066DPhilipSMD
74HC4066PHILIPSSO-14
74HC164PhilipCONCESSO
24LC128MICROCHIPDIP-8
24LC08BMICROCHIPDIP-8
1N5822-Bdiodos incDO-201AD
MC1413DR2GNo semicondutorSOP-16
HEF4069PhilipSO-14 (MOTOROLA)
China Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N supplier

Mosfets discretos do poder dos semicondutores SIHF10N40D-E3 do transistor do canal de N

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