Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino
Number modelo:ZCQ
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:100000pcs pelo dia
Prazo de entrega:5-8 semana
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Beijing Beijing China
Endereço:
Jidong Industraial Park, Qianbaihujian, Yangfang Town, Changping District, Pequim, China
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Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino
Nós somos especializados na pesquisa, na fabricaço e nas vendas de
produtos de quartzo.
Os produtos principais so: cadinho de quartzo, tubo de vidro de
quartzo transparente, tubo da difuso do vidro de quartzo, tubo de
vidro de moedura de quartzo da boca, placa de vidro de quartzo,
barco de quartzo, mercadorias de quartzo, monte de quartzo, haste
de quartzo, material de construço leve, dispositivo médico,
instrumentos científicos, etc.
Nós lembramo-nos sempre que o “cliente é o centro, qualidade somos
a chave”. Nós faremos nossos esforços de 100% para fazer nossos
clientes satisfeitos!
Características de produtos:
Claro e limpo,
Homogeneidade alta
Resistente de alta temperatura
Transmisso clara alta
Anti ataque da química
Temperatura de trabalho:
Temperatura de trabalho regular: °C 1000
Temperatura de trabalho para a curto prazo: 1100°C
temperatura máxima de trabalho imediata: 1300°C
Propriedade mecnica:
| Propriedade mecnica | Valor de referência | Propriedade mecnica | Valor de referência |
| Densidade | 2.203g/cm3 | R.I. | 1,45845 |
| Força compressiva | >1100Mpa | Coeficiente da expanso térmica | 5.5×10-7cm/cm.°C |
| Força de dobra | 67Mpa | Temperatura quente do trabalho | 1750~2050°C |
| Resistência traço | 48.3Mpa | A temperatura por um curto período de tempo | °C 1300 |
| A relaço de Poisson | 0.14~0.17 | A temperatura por muito tempo | °C 1100 |
| Módulo elástico | 71700Mpa | Resistividade | 7×107Ω.cm |
| Módulo de corte | 31000Mpa | Força dielétrica | 250~400Kv/cm |
| Dureza das traças | 5.3~6.5 (escala das traças) | Constante dielétrica | 3.7~3.9 |
| Ponto da deformaço | °C 1280 | Coeficiente de absorço dielétrica | <4> |
| Calor específico (20~350°C) | °C 670J/kg | Coeficiente de perda dielétrica | <1> |
| Condutibilidade térmica (°C) 20 | °C de 1.4W/m | ||
Portador da bolacha de semicondutor de quartzo fundido ultra fino
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