2" 4" 6" diodo emissor de luz Sapphire Substrate, vidro de janela ótico incolor

Carcaça da safira para componentes azuis e verdes do diodo emissor de luz

Descriço do produto

Os materiais usados em diodos luminescentes azuis e verdes so principalmente GaN. A pesquisa adiantada de GaN no fez o progresso significativo, principalmente porque foi incapaz de encontrar uma carcaça que combinasse a constante da estrutura de GaN, tendo por resultado a densidade dos defeitos no cristal epitaxial. Demasiado alto, até 1991, o pesquisador S. Nakamura de Nichia Co. usou o crescimento de baixa temperatura de uma camada amorfa do amortecedor de GaN em A.A. - carcaça da safira da linha central, e crescido ento lhe na alta temperatura para obter o mesmos espelho-como a superfície. Para GaN, o problema da parte epitaxial obteve uma descoberta principal neste tempo.

Presentemente, os componentes de GaN de diodos alto-luz-emitindo-se azul esverdeado do alto-brilho so crescidos principalmente em Sapphire Wafer, o tamanho máximo pode alcançar 6 polegadas, e pode fornecer as exigências axiais diferentes que incluem c, m, a, e o R. além, para encontrar necessidades do cliente, outras carcaças da próxima geraço foi desenvolvido igualmente.

Especificaço técnica

Bolacha da safira (Al2O3)

Especificações da folha lisa da safira

Vantagens do produto

Teste padro Sapphire Substrate (PSS): A carcaça da safira é projetada produzir testes padrões regulares específicos da microestrutura da nano-escala pelo crescimento ou gravura a água-forte para controlar o formulário da luz da saída do diodo emissor de luz. Ao mesmo tempo, pode reduzir os defeitos do GaN crescido na carcaça da safira, melhorar a qualidade da epitaxia, e melhora a eficiência de quantum interna do diodo emissor de luz e aumentar a eficiência clara da extraço.

Tem as características da velocidade sadia alta, resistência de alta temperatura, resistência de corroso, dureza alta, transmitncia claro alto, ponto de derretimento alto (2045°C), etc.

Chongqing Silian Optoelectronics Science & a tecnologia Co., Ltd foram fundados pelo grupo Co. do instrumento de China Silian, Ltd para o desenvolvimento da indústria do diodo emissor de luz. Depois que a aquisiço do negócio da safira de Honeywell, a empresa se tornou a primeira empresa de China com a parte-qualidade do mundo grande-fez sob medida a produço da safira e as capacidades do R&D. A empresa tem a tecnologia de alta potência principal das carcaças da safira do mundo. Tomando a oportunidade excelente, a empresa desenvolveu do diodo emissor de luz do empacotamento, da iluminaço do diodo emissor de luz e outras indústrias aplicações sucessivamente para projetar a extenso na corrente industrial do diodo emissor de luz. Baseado na núcleo-tecnologia de carcaças da safira, nós criamos uma área de MU 1000 (aproximadamente 66,7 hectare) para desenvolver a porcelana industrial do diodo emissor de luz dos materiais básicos aos produtos finais altos e para transformar-se o semicondutor o mais terminado e o maior energia-eficiente na base dustrial em China ocidental.

Mantendo o espírito da empresa de “popular, a seleço natural, herdando a inovaço e a perseguiço da excelência” e o princípio do cliente de “Silian é guiada através dos clientes e suportes com clientes”, nós somos cometidos para fornecer clientes as carcaças de alta qualidade da microplaqueta da safira, os materiais óticos da janela, os dispositivos de empacotamento do diodo emissor de luz, e o diodo emissor de luz da eficiência elevada que ilumina produtos finais altos desplay e que cria o valor para clientes.

Silian os padrões grande-feitos sob medida internacionais das carcaças da safira que lauching o membro.

Adquirindo a linha de produço terminada do crescimento de cristal de safira ao processamento da carcaça.

Nós temos as vantagens do qulity da pureza alta, da consistência alta e da repetibilidade alta.

Cooperar com a microplaqueta do diodo emissor de luz do nível superior do mundo fabrica.