Sapphire Semiconductor plana, 2 bolacha transparente da polegada DSP

Sapphire Semiconductor plana

Que é safira do Um-plano?

O plano que é perpendicular Um-linha central, contendo a C-linha central. as orientações da safira do Um-plano so amplamente utilizadas em aplicações optoelectronic.

Como fazem os pesquisadores usam o Um-plano Sapphire Substrates?

O depósito de vapor químico (CVD) foi usado por pesquisadores para crescer epi-camadas de AlGaN na safira do um-plano. E para crescer MoS2 para fazer dispositivos eletrónicos mais eficientes.

Reseachers usou a safira do um-plano para crescer Diamond Thin Film policristalino que usa o processo do CVD.

Ion Beam Milling da safira do Único-cristal na safira do Um-plano

A taxa da remoço do material (MRR) está a uma velocidade em que o material é removido da superfície. A aspereza de superfície (Sa) é como áspero a superfície é depois que o material é removido. O MRR da safira do Um-plano é levemente mais alto do que aquele do C-plano e da safira do M-plano. O Sa da safira do Um-plano após MENTE o tratamento é o menor entre as três orientações de cristal diferentes. Estes resultados implicam que a safira do Um-plano permite uma remoço mais fácil do material durante a trituraço FIB comparada com o C-plano e as safiras do M-plano. Além disso, a qualidade de superfície da safira do Um-plano depois que a trituraço FIB é melhor do que aquela do C-plano e das safiras do M-plano. Os resultados teóricos do cálculo mostram que a energia da remoço dos íons de alumínio e dos íons do oxigênio pelo nanômetro quadrado na superfície ultraperiférica da safira do Um-plano é a menor. Isto igualmente implica que o material está removido mais facilmente da superfície da safira do Um-plano do que a superfície do C-plano e das safiras do M-plano pela trituraço FIB.

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