Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Detalhes do produto
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MOSFET duplo do N-canal de HXY4812 0V
Descriço geral
O HXY4812 usa tecnologia avançada da trincheira a
forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM
aplicações.
Sumário do produto
Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposiço em contrário
Características elétricas (T =25°C salvo disposiço em contrário)
A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com Ta =25°C.
o valor em toda a aplicaço dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. O paládio da dissipaço de poder é baseado em TJ (max) =150°C, usando a resistência térmica junço--ambiental do ≤ 10s.
A avaliaço de C. Repetitivo, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junço TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilizaço para manter-se
D. O RθJA é a soma da impedncia térmica da junço para conduzir RθJL e conduzi-lo a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 so utilizaço obtida <300>
Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet
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