MOSFETS duplos do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de RoHS N 6,0 um VDSS
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o MOSFET duplo do N-canal dos MOSFETS
Descriço geral
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 | G1 6 | D1, D2 5 | G2 4 | |||||
| z | RDS (sobre) <> 25m GS | |||||||
| z | RDS (sobre) <> 32m GS | 1 2 3 S1 D1, D2 S2 | ||||||
CARACTERÍSTICA
MOSFET do poder de z TrenchFET
z RDS excelente (sobre)
carga da porta de z baixa
poder superior de z e capacidade entregando atual
pacote de superfície da montagem de z
APLICAÇO
proteço da bateria de z
interruptor da carga de z
gesto do poder de z
| Condiço de teste Min Typ Max Unit do símbolo do parmetro |
| CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
| tenso de diviso V da Dreno-fonte (BR) DSS VGS = 0V, identificaço =250µA 19 V |
| Dreno zero IDSS atual VDS =18V da tenso da porta, µA VGS = 0V 1 |
| escapamento IGSS atual VGS =±10V do Porta-corpo, nA de VDS = de 0V ±100 |
| Tenso do ponto inicial da porta (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificaço =250µA 0,5 0.9V |
| GFS dianteiro VDS =5V do tranconductance (nota 3), identificaço =4.5A 10 S |
| Tenso dianteira do diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DINMICO (note4) |
| Ciss entrado da capacidade 800 PF |
| Capacidade de saída Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacidade reversa Crss 125 PF de transferência |
| INTERRUPTOR CHARACTERICTISCS (nota 4) |
| Tempo de atraso de ligaço TD (sobre) 18 ns |
| Tempo de elevaço de ligaço tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
| Tempo de atraso TD da volta-fora (fora) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
| Tempo de queda tf da volta-fora 20 ns |
| Carga total Qg 11 nC da porta |
| Carga Qgs VDS =10V da Porta-fonte, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC |
| Carga Qgd 2,5 nC do Porta-dreno |
Notas:
1. Avaliaço repetitiva: Largura de Pluse limitada pela temperatura de junço máxima
2. De superfície montado FR4 na placa, segundo t≤10.
3. Teste do pulso: Pulso width≤300μs, dever cycle≤2%.
4. Garantido pelo projeto, no assunto produço.
Dimensões do esboço do pacote de SOT-23-6L
MOSFETS duplos do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de RoHS N 6,0 um VDSS
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