Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Fornecedor do último login vezes:
No 22 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel
DESCRIÇO
O 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira a
forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operaço com as tensões da porta to baixas quanto 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GERAIS
VDS = 20V, IDENTIFICAÇO = 7A
8H02TS RDS (SOBRE) < 28m="">
RDS (SOBRE) < 26m="">
RDS (SOBRE) < 22m="">
RDS (SOBRE) < 20m="">
Avaliaço do ESD: 2000V HBM
Aplicaço
Proteço da bateria
Gesto do poder do interruptor da carga
Marcaço do pacote e informaço pedindo
| Identificaço do produto | Bloco | Marcaço | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)
| Parmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tenso da Dreno-fonte | VDS | 20 | V |
| Tenso da Porta-fonte | VGS | ±12 | V |
| Drene Current-Continuous@ Atual-pulsado (nota 1) | Identificaço | 7 | V |
| Dissipaço de poder máxima | Paládio | 1,5 | W |
| Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Resistência térmica, Junço--ambiental (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)
NOTAS: 1. avaliaço repetitiva: Largura de pulso limitada pela
temperatura de junço máxima. 2. de superfície montado FR4 na placa,
segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de
pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, no
assunto aos testes de produço.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
Inquiry Cart
0