escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Fornecedor do último login vezes:
No 22 Horas
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DIODO SOT-23 do ESCAPAMENTO de MMBD1501A o BAIXO Plástico-encapsula diodos
CARACTERÍSTICA
baixo escapamento do
condutibilidade alta do
Marcaço: A11
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
Characterisitics típico
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 | |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERÊNCIAS | 0,022 REFERÊNCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
escapamento do transistor atual alto do transistor de poder do silicone 200v baixo
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