Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N5401 (PNP)
CARACTERÍSTICA
Interruptor e amplificaço de Ÿ na alta tenso
Aplicações de Ÿ tais como a telefonia
Baixa corrente de Ÿ
Alta tenso de Ÿ
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método de embalagem | Quantidade do bloco |
| 2N5401 | TO-92 | Volume | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | Fita | 2000pcs/Box |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | -160 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | -150 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | -5 | V |
| IC | Corrente de coletor | -0,6 | |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 625 | mW |
| R0 JA | Resistência térmica da junço a ambiental | 200 | Š/W |
| Tj | Temperatura de junço | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | Š |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | IC = -0.1MA, IE =0 | -160 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | CEO DE V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -150 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | IE =-0.01MA, IC =0 | -5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB =-120V, IE =0 | -50 | nA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB =-3V, IC =0 | -50 | nA | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE =-5V, IC =-1MA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE =-5V, IC =-10MA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE =-5V, IC =-50MA | 50 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (se sentou) | IC =-50MA, IB =-5MA | -0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (se sentou) | IC =-50MA, IB =-5MA | -1 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | Megahertz |
CLASSIFICAÇO do hFE (2)
| GRAU | B | C | |
| ESCALA | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos
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