Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

Quantidade de ordem mínima:1500
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:3000000PCS/month
Prazo de entrega:5-15days
Detalhes de empacotamento:Tubo
Number modelo::HBR20200
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Shenzhen China
Endereço: 9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Apropriado para o diodo de barreira de comutaço de alta frequência HBR20200 da fonte de alimentaço 20A 200V Schottky TO-220C TO-220HF TO-263


APLICAÇÕES

do  de alta frequência da fonte de alimentaço do interruptor do  diodos de roda livres, aplicações da proteço da polaridade

 

CARACTERÍSTICAS

perda de baixa potência comum do  da estrutura do cátodo do , anel de protetor de funcionamento alto para a proteço da sobretenso, produto alto do  da temperatura de junço do  da eficiência elevada de RoHS do  da confiança

 

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Aplicação de alta frequência da proteção da polaridade de Mos Field Effect Transistor 20A 200V

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