Os transistor de poder da ponta 3DD13005 comutam a eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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TO-263-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13005 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Aplicações de comutaço do poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 700 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 400 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 9 | V |
| IC | Corrente de coletor - contínua | 1,5 | |
| PC | Dissipaço do coletor | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Temperatura da junço e de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | CEO DE V (BR) | Ic= 10 miliampères, IB=0 | 400 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | IE = 1mA, IC =0 | 9 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB = 700V, IE =0 | 1 | miliampère | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE = 400V, IB =0 | 0,5 | miliampère | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB = 9 V, IC =0 | 1 | miliampère | ||
Ganho atual de C.C. | hFE (1) | VCE = 5 V, IC = 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE = 5 V, IC = 1.5A | 5 | ||||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (se sentou) | IC=1A, IB= 250 miliampères | 0,6 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (se sentou) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Tenso do emissor de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Frequência da transiço |
fT | VCE =10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megahertz | ||
| Tempo de queda | tf | IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tempo de armazenamento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASSIFICAÇO de hFE1
| Grau | |||||||
| Escala | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASSIFICAÇO dos tS
| Grau | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Escala | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Dimensões do esboço do pacote TO-92
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 | |
| A1 | 0,000 | 0,150 | 0,000 | 0,006 |
| B | 1,120 | 1,420 | 0,044 | 0,056 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| e | 2,540 TIPO. | 0,100 TIPOS. | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| L | 14,940 | 15,500 | 0,588 | 0,610 |
| L1 | 4,950 | 5,450 | 0,195 | 0,215 |
| L2 | 2,340 | 2,740 | 0,092 | 0,108 |
| Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| V | 5,600 REFERÊNCIA. | 0,220 REFERÊNCIAS. | ||
Os transistor de poder da ponta 3DD13005 comutam a eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor
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