Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS
Lugar de origem:ShenZhen China
Quantidade de ordem mínima:PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento:Encaixotado
Prazo de entrega:1 - 2 semanas
Termos do pagamento:L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte:18,000,000PCS/pelo dia
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Dissipaço de poder
MARCAÇO
Código de D882=Device
Ponto contínuo = dispositivo composto moldando verde, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code
INFORMAÇO PEDINDO
| Número da peça | Pacote | Método de embalagem | Quantidade do bloco |
| D882 | TO-126 | Volume | 200pcs/Bag |
| D882-TU | TO-126 | Tubo | 60pcs/Tube |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25 Š salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 30 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| IC | Corrente de coletor - contínua | 3 | |
| PC | Dissipaço de poder do coletor | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Ta =25 Š salvo disposiço em contrário
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE =0 | 40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | CEO DE V (BR) | IC = 10mA, IB =0 | 30 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | IE = 100μA, IC =0 | 6 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB = 40 V, IE =0 | 1 | µA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE = 30 V, IB =0 | 10 | µA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB = 6 V, IC =0 | 1 | µA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE = 2 V, IC = 1A | 60 | 400 | ||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (se sentou) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (se sentou) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 1,5 | V | ||
Frequência da transiço |
fT | VCE = 5V, IC =0.1A f =10MHz |
90 |
Megahertz |
CLASSIFICAÇO do hFE (2)
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 | |
| A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2,290 TIPO | 0,090 TIPOS | ||
| e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder dos transistor de poder NPN da ponta de RoHS
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