Tempo de comutação rápido Mos Field Effect Transistor, transistor do interruptor de alimentação
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:G170C03LR1S
Minimum Order Quantity:Negotiation
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Shenzhen China
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Tempo de comutaço rápido Mos Field Effect Transistor, transistor do interruptor de alimentaço
Mos Field Effect Transistor Description
Mos Field Effect Transistor é usado nos muitos fonte de alimentaço e aplicações do poder geral, especialmente como interruptores. S variante inclui MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs e outras marcas diferentes.
Mos Field Effect Transistor Feature
N- Canal P - canal
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 do mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 do mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
a avalancha 100% do testou
seguro e áspero
halogênio do livre e dispositivos verdes disponíveis
(RoHS complacente)
Mos Field Effect Transistor Applications
Retificadores síncronos
Poder sem fio
movimentaço do motor da H-ponte
Informaço pedindo e de marcaço
S
G170C03
XYMXXXXXX
Código do pacote
S: SOP8L
Código da data
XYMXXXXXX
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos
moldando/para morrer materiais do anexo e do resíduo metálico placa
100% de lata Termi-
Revestimento da naço; quais so inteiramente complacentes com RoHS.
Os produtos sem chumbo de HUAYI para encontrar ou exceder o sem
chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificaço de MSL na
temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio
livre (o Br ou o Cl no excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl no excedem 1500ppm
por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces,
alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Características de funcionamento N-Mosfet típicas
Tempo de comutação rápido Mos Field Effect Transistor, transistor do interruptor de alimentação
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