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Diodo de retificador rápido 1.0A do silicone da recuperação BA159 1000V para o motorista do diodo emissor de luz
Descrição:
O diodo de retificador ultrarrápido da recuperação é um dispositivo de semicondutor que possua o tempo de recuperação reversa curto para a finalidade da correção na alta frequência. Uma estadia de recuperação rápida é crucial para a correção do sinal de alta frequência da C.A. Os diodos são usados na maior parte nos retificadores porque possuem a velocidade de comutação ultra-alta.
O diodo rápido da recuperação é construído na maneira similar por que o diodo ordinário é construído. A diferença principal na construção entre estes diodos e diodos convencionais é a presença de centros de recombinação. Em diodos rápidos da recuperação, o ouro (Au) é adicionado ao material do semicondutor. Isto conduz ao aumento no valor numérico dos centros de recombinação devido a que a vida (?) de diminuições dos portador de carga.
Características:
• Junção difundida
• Interruptor rápido para a eficiência elevada
• Capacidade atual alta e baixa queda de tensão dianteira
• Avaliação de sobrecarga do impulso ao pico 30A
• Baixa corrente reversa do escapamento
• O material plástico tem a classificação 94V-0 da inflamabilidade do UL
Vantagens do diodo rápido da recuperação:
• Velocidade de comutação Ultrahigh
• Baixo tempo de recuperação reversa
• Eficiência melhorada em relação aos diodos convencionais.
• Perda reduzida
Avaliações máximas & características térmicas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário, carga Resistive ou indutiva, 60 hertz.
Para a carga capacitiva derate atual por 20%.
| Parâmetro | Símbolo | BA159 | Unidade |
| Tensão reversa do pico de Max.repetitive | VRRM | 1000 | V |
| Tensão de entrada máxima da ponte do RMS | VRMS | 700 | V |
| Tensão de obstrução máxima da C.C. | VDC | 1000 | V |
| Corrente de saída retificada dianteira média do máximo em TA=75℃ | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |
| Seno-onda máxima da corrente de impulso dianteiro única sobreposta na carga avaliado | IFSM | 30 | |
| Tempo de recuperação reversa máximo TJ=25℃ | Trr | 500 | nS |
| Resistência térmica típica pelo elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
| Capacidade de junção típica pelo elemento | Cj | 15 | PF |
| Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | Tj TSTG | -65 a +150 | ℃ |
Características elétricas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário. Carga Resistive ou indutiva, 60Hz.
Para a carga capacitiva derate em 20%.
| Parâmetro | Símbolo | BA159 | Unidade |
| Queda de tensão dianteira instantânea do máximo pelo pé em 1.0A | VF | 1,3 | V |
| Reverso máximo da C.C. atual em TA=25℃ avaliado Tensão de obstrução da C.C. pelo elemento TA=25℃ | IR | 5,0 50,0 | miliampère |
Dimensão:
