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diodo de barreira de 1N5819 40V 1A schottky com a caixa DO-41 para o gerador
Descrição:
Um diodo é uma válvula de sentido único para a eletricidade. Os diodos permitem o fluxo da eletricidade em um sentido. A maioria de diodos têm uma linha pintada em uma extremidade que mostra o sentido ou o fluxo. O lado negativo é normalmente branco.
Um diodo de Schottky é sabido igualmente como um diodo de portador quente; é um diodo de semicondutor com uma ação de comutação muito rápida, mas uma baixa queda de tensão dianteira. Quando uma corrente corre através do diodo há uma queda de tensão pequena através dos terminais do diodo. Em um diodo normal, a queda de tensão está entre 0,6 a 1,7 volts, quando em um diodo de Schottky a queda de tensão variar normalmente entre 0,15 e 0.45volts. Esta gota de uma mais baixa tensão fornece uma velocidade de comutação mais alta e a melhor eficiência de sistema. No diodo de Schottky, uma junção do semicondutor-metal é formada entre um semicondutor e um metal, assim criando uma barreira de Schottky. O N-tipo semicondutor atua como um cátodo e o lado do metal atua como o ânodo do diodo.
Características:
• Extremamente - baixo VF
• Construção Epitaxial
• Perda de baixa potência, eficiência elevada
• Baixa carga armazenada, construção do portador de maioria
• O material plástico tem a classificação 94V-0 da inflamabilidade do UL
Aplicação:
Os diodos de Schottky são usados para a tensão que aperta as aplicações e a prevenção da saturação do transistor devido à densidade atual alta no diodo de Schottky. É igualmente ser uma baixa queda de tensão dianteira no diodo de Schottky, ele é desperdiçado em menos calor, fazendo lhes uma escolha eficiente para as aplicações que são eficiência sensível e mesma. Devido ao diodo de Schottky usado do suporte em sistemas fotovoltaicos apenas a fim impedir que as baterias descarreguem a finalidade para os painéis solares na noite assim como na grade conectou os sistemas, contendo cordas múltiplas é paralelamente conexão conectada. Os diodos de Schottky são usados igualmente como retificadores em fontes de alimentação.
Avaliações máximas & características térmicas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário, carga Resistive ou indutiva, 60 hertz.
Para a carga capacitiva derate atual por 20%.
Parâmetro | Símbolo | 1N5819 | Unidade |
Tensão reversa do pico de Max.repetitive | VRRM | 40 | V |
Tensão de entrada máxima da ponte do RMS | VRMS | 28 | V |
Tensão de obstrução máxima da C.C. | VDC | 40 | V |
Corrente de saída retificada dianteira média do máximo em TA=75℃ | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |
Seno-onda máxima da corrente de impulso dianteiro única sobreposta na carga avaliado | IFSM | 25 | |
Resistência térmica típica pelo elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
Capacidade de junção típica pelo elemento | Cj | 110 | PF |
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | Tj TSTG | -55 a +125 | ℃ |
Características elétricas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário. Carga Resistive ou indutiva, 60Hz.
Para a carga capacitiva derate em 20%.
Parâmetro | Símbolo | 1N5819 | Unidade |
Queda de tensão dianteira instantânea do máximo pelo pé em 1.0A | VF | 0,6 | V |
Reverso máximo da C.C. atual em TA=25℃ avaliado Tensão de obstrução da C.C. pelo elemento TA=25℃ | IR | 1,0 10,0 | miliampère |
Dimensão: