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Tipo de superfície 1N5819 do retificador SMD da barreira de schottky da montagem de SS14 1.0A 40V
Descrição:
Um diodo de Schottky é sabido igualmente como um diodo de portador quente; é um diodo de semicondutor com uma ação de comutação muito rápida, mas uma baixa queda de tensão dianteira. Quando uma corrente corre através do diodo há uma queda de tensão pequena através dos terminais do diodo. Em um diodo normal, a queda de tensão está entre 0,6 a 1,7 volts, quando em um diodo de Schottky a queda de tensão variar normalmente entre 0,15 e 0.45volts. Esta gota de uma mais baixa tensão fornece uma velocidade de comutação mais alta e a melhor eficiência de sistema. No diodo de Schottky, uma junção do semicondutor-metal é formada entre um semicondutor e um metal, assim criando uma barreira de Schottky. O N-tipo semicondutor atua como um cátodo e o lado do metal atua como o ânodo do diodo.
Características:
• Para a aplicação de superfície da montagem
• Extremamente - baixo VF
• Construção Epitaxial
• Perda de baixa potência, eficiência elevada
• Baixa carga armazenada, construção do portador de maioria
• O material plástico tem a classificação 94V-0 da inflamabilidade do UL
Aplicação:
• Pode ser usado para impedir o problema reverso da polaridade
• Retificadores de meia onda e de onda completa
• Usado como um dispositivo de proteção
• Reguladores atuais do fluxo
Avaliações máximas & características térmicas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário, carga Resistive ou indutiva, 60 hertz.
Para a carga capacitiva derate atual por 20%.
Parâmetro | Símbolo | SS14 | Unidade |
Tensão reversa do pico de Max.recurrent | VRRM | 40 | V |
Tensão do RMS do máximo | VRMS | 28 | V |
Tensão de obstrução máxima da C.C. | VDC | 40 | V |
Corrente de saída retificada dianteira média do máximo em TA=90℃ | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |
Seno-onda máxima da corrente de impulso dianteiro única sobreposta na carga avaliado (método de JEDEC) | IFSM | 25 | |
Resistência térmica típica pelo elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
Capacidade de junção típica pelo elemento | Cj | 70 | PF |
Junção de funcionamento | Tj | -55 a +125 | ℃ |
Variação da temperatura do armazenamento | TSTG | -55 a +150 | ℃ |
Características elétricas:
Avaliação em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposição em contrário. Carga Resistive ou indutiva, 60Hz.
Para a carga capacitiva derate em 20%.
Parâmetro | Símbolo | SS14 | Unidade |
Queda de tensão dianteira instantânea do máximo pelo pé em 0.5A | VF | 0,5 | V |
Reverso máximo da C.C. atual em TA=25℃ avaliado | IR | 0,5 | μA |
Dimensão: