Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd

Crescendo de cristal, valor de Lingling.

Manufacturer from China
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Seção transversal de absorção do estado de zona alta dos cristais do interruptor de V3+ Y3Al5O12 V YAG Q

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Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Mrsales
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Seção transversal de absorção do estado de zona alta dos cristais do interruptor de V3+ Y3Al5O12 V YAG Q

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Place of Origin :China
Brand Name :CRYLINK
Certification :Iso9001
MOQ :1 Pieces
Price :negotiation
Packaging Details :Carton
Delivery Time :3-4 weeks
Payment Terms :TT
Supply Ability :100 pieces /month
Model Number :CRYLINK-V YAG Q-Switch Crystal
Chemical formula :V3+:Y3Al5O12
Crystal structure :cubic - la3d
Orientation :<100> <+/-0.5°
Transmittance :30%-97%
Opticaldensity :0.1-0.8
Recovery time :5~2210-22s
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V cristais do interruptor de YAG Q

  

Descrição

V: YAG (grandada do Ítrio-alumínio lubrificada com vanádio V3+do três-valence) é um material de cristal relativamente novo de absorventes saturable e do Q-interruptor passivo na escala espectral desde 1064 até 1440 nanômetro, primeiramente devido ao seção transversal de absorção extremamente alto do terra-estado e à absorção insignificante do entusiasmado-estado em torno do limite de absorção aproximadamente 1300 nanômetro. Este material, propriedades óticas, mecânicas, e térmicas excelentes de revelação, pode tipicamente ser crescido pelo método de Czochralski. V: Os cristais de YAG foram aplicados para uma variedade de meios ativos tais como o Nd: YAG, Nd: YAP, Nd: KGW, Nd: YVO4 para conseguir o estojo compacto e lasers passivos do Q-interruptor do bom-desempenho.

 

Características

 

Extremamente absorção do estado de zona alta

Absorção entusiasmado insignificante do estado

Contraste alto do Q-interruptor

Boas propriedades óticas, mecânicas, e térmicas

Ponto inicial de dano alto resistente e alto UV (>500MW/cm2)

 

Aplicações

 

Q-interruptor e modelo-travamento para o Nd: Lasers de YAG

Q-interruptor e modelo-travamento para o Nd: Lasers do YAP

Q-interruptor e modelo-travamento para o Nd: Lasers de KGW

Q-interruptor e modelo-travamento para o Nd: Lasersde YVO4

 

Parâmetros

 

Propriedade

Valor

Fórmula química

V3+: Al5 O12 de Y3

Estrutura de cristal

cúbico - la3d

Orientação

<100> <+/-0.5°

Transmitância

30%-97%

Opticaldensity

0.1-0.8

 

 

Especificações

 

Propriedade

Valor

Estrutura atômica da transição

Two-levelsystem

Tempo de recuperação

5~2210-22s

Concentrações

(0.05~0.35) WT %

Absorptioncross-seção

7.3×10-18cm2 (@ 1340 nanômetro)

Emissionbandwidth

1000-1450 nanômetro

Comprimento de onda de Centralabsorption

1300nm

Revestimentos

Standardcoating é AR com R < 0,2% (@1340 o nanômetro)

 

 

Especificação de lustro

 

Propriedade

Valor

OrientationTolerence

<0.5°

Espessura/DiameterTolerance

±0.05mm

SurfaceFlatness

</8@632nm

WavefrontDistortion

</4@632nm

SurfaceQuality

10/5

Paralela

30

Perpendicular

15

ClearAperture

>90%

Chanfradura

<0.2×45°

 

 

 

Produtos padrão

 

 

Transmissão inicial @1064nm

Dimensionsmm

Revestimentos

SurfaceFlatness

SurfaceQuality

(risco/escavação)

T0=30%

diâmetro 5

AR≤0.2% @1064nm

</8@632 nanômetro

10/5

3x3

5x5

T0=40%

diâmetro 5

3x3

5x5

T0=50%

diâmetro 5

 

 

 

 

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