M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
O método de Stepanov é usado para o crescimento dos detalhes da safira do monocristal de várias configurações, incluindo as hastes da safira, as tubulações e as fitas.
O método da cristalização horizontalmente dirigida é amplamente utilizado na síntese de grandes monocristal da safira. Os elementos da cristalização dirigida e do derretimento zonal são combinados com sucesso no Gorizontally dirigiram o método da cristalização (HDC). O cristal cresce no movimento lento da zona derretida local ao longo do recipiente com a carga de fornalha, tendo um formulário do barco. O método dirigido horizontal da cristalização fornece a recepção da safira monocrystalline a dispersão pequena dos tamanhos do seção transversal e reserva-a crescer acima o monocristal da safira de toda a orientação crystallographic sob a forma das placas dos tamanhos recorde inatingíveis no uso de outros métodos do crescimento.
PROPRIEDADES ÓTICAS
| Transmissão | 0,17 a 5,5 um |
| R.I. | 1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 um |
| Perda de reflexão | em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
| Índice da absorção | 0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 um |
| dN/dT | 13,7 x 10-6 em 5,4 um |
| dn/dm = 0 | 1,5 um |
| Orientação | R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada |
| Tolerância da orientação | ± 0.3° |
| Diâmetro | 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
| Tolerância do diâmetro | 0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
| Espessura | 0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
| Tolerância da espessura | 25μm |
| Comprimento liso preliminar | 16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
| Orientação lisa preliminar | ± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
| TTV | ≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
| CURVA | ≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
| Front Surface | Epi-lustrado (Ra< 0.3nm para o C-plano, 0.5nm para outras orientações) |
| Superfície traseira | Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado |
| Empacotamento | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100 |
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