Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

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carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

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Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

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Number modelo :Safira (Al2O3)
Lugar de origem :CHINA
Quantidade de ordem mínima :5 partes
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000 partes/mês
Prazo de entrega :1-4 semanas
Detalhes de empacotamento :Gaveta, frasco, pacote do filme
Material :Sapphire Wafer
Crescimento :Método de Kyropoulos
Ponto de derretimento :°C 2040
condutibilidade térmica :27,21 com (m x K) em 300 K
Expansão térmica :5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g
Capacidade de calor específico :419 j (quilograma x K)
Constante dielétrica :11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz
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carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

Al2O3 que único de cristal (safira, igualmente conhecida como as pedras, a safira brancas) tem boas propriedades térmicas, características elétricas e propriedades dielétricas, e anti-chemicalcorrosion excelentes, ele é condutibilidade de alta temperatura, térmica, dureza alta, bom transparente, quimicamente estável infravermelho. Amplamente utilizado na carcaça epitaxial infravermelha de alta temperatura do filme dos materiais da janela e do nitreto de III-V e uma variedade de nos materiais para encontrar as necessidades o azul crescente, o diodo luminescente roxo, branco (diodo emissor de luz) e do laser do azul (LD), BonTek que especializa-se na produção do cristal de safira lustrado de alta qualidade e de carcaças epitaxial fornecê-lo-ão muita carcaça monocrystalline de alta qualidade e do preço baixo.

carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azulcarcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azulcarcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Escala de transmissão

0,17 a 5,5 mícrons

R.I.

1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons

Perda de reflexão

em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Posicione da absorção

0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons

dN/dT

13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons

dn/dm = 0

1,5 mícrons

PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Densidade

3,97 g/cm3

Ponto de derretimento

2040 graus de C

Condutibilidade térmica

27,21 com (m x K) em 300 K

Expansão térmica

5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g

Capacidade de calor específico

419 j (quilograma x K)

Constante dielétrica

11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz

Módulo Young (e)

335 GPa

Módulo da tesoura (g)

148,1 GPa

Módulo de maioria (K)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Limite elástico aparente

MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada)

Relação de Poisson

0,25

Orientação

R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada

Tolerância da orientação

± 0.3°

Diâmetro

2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro

Tolerância do diâmetro

0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas

Espessura

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro;

Tolerância da espessura

25μm

Comprimento liso preliminar

16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas

Orientação lisa preliminar

± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2°

carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

Verificação de aceitação

carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul

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