Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. Cultivamos cristais, fabricamos wafers, somos especialistas em piezoelétrica.
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Permitindo a modulação de alta velocidade e a largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI
Piezo na isolação (probabilidade de intercepção) refere uma tecnologia onde os materiais piezoelétricos sejam integrados em uma carcaça de isolamento. Isto permite a utilização do efeito piezoelétrico ao fornecer o isolamento elétrico. A tecnologia da probabilidade de intercepção permitem o desenvolvimento de vários dispositivos e os sistemas que aproveitam as propriedades originais de materiais piezoelétricos para a detecção, a atuação, e a energia que colhe aplicações.
A tecnologia da probabilidade de intercepção (Piezo na isolação) encontra várias aplicações nos campos diferentes devido a sua capacidade para combinar as vantagens de materiais piezoelétricos com o isolamento elétrico. Como sensores, sistemas e armazenamento e geração de energia Microelectromechanical.
A versatilidade de integrar materiais piezoelétricos em uma carcaça de isolamento para abrir as possibilidades para soluções inovativas em campos diversos, incluindo a eletrônica, energia, cuidados médicos, e mais.
| Bolacha de LNOI | |||
| Estrutura | LN/SiO2/si | LTV/PLTV | < 1="">) do milímetro2do ∗ 5/95% |
| Diâmetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borda Exclution | 5 milímetros |
| Espessura | 500 μm do ± 20 | Curva | Dentro do μm 50 |
| Comprimento liso preliminar | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Aparamento da borda | ± 2 0,5 milímetros |
| Chanfradura da bolacha | R do tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| Camada superior de LN | |||
| Espessura média | 400/600±10 nanômetro | Uniformidade | < 40nm=""> |
| Índice da refração | nenhuns > 2,2800, ne < 2=""> | Orientação | ± 0.3° da linha central de X |
| Categoria | Ótico | Ra de superfície | < 0=""> |
| Defeitos | >1mm nenhuns; ≦1milímetrodentrode300totais |
Delaminação | Nenhum |
| Risco | >1cm nenhuns; ≦1cmdentrode3 |
Plano preliminar | Perpendicular ao ± 1° da linha central de +Y |
| Isolamento SiO2 camadas | |||
| Espessura média | 2000nm ± 100nm do ± 50nm 4700nm do ± 15nm 3000nm | Uniformidade | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido térmico | Índice da refração | 1.45-1.47 @ 633 nanômetro |
| Carcaça | |||
| Material | Si | Orientação | <100> ± 1° |
| Orientação lisa preliminar | <110> ± 1° | Resistividade | > kΩ 10·cm |
| Contaminação da parte traseira | Nenhuma mancha visível | Parte traseira | Gravura em àgua forte |
