Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. Cultivamos cristais, fabricamos wafers, somos especialistas em piezoelétrica.

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Método de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticas

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Província / Estado:shanghai
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Método de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticas

 

As nossas Wafers de Safira, de excelente fabricação, são uma inovação parecida com uma pedra preciosa para as suas necessidades tecnológicas de ponta.Meticulosamente concebido para uso nas aplicações mais exigentes.

Fabricadas a partir de safira sintética de qualidade superior, as nossas placas oferecem uma dureza e resistência a arranhões incomparáveis, garantindo um desempenho superior e longevidade em ambientes adversos.Sensores, dispositivos semicondutores, e até as mais recentes tecnologias vestíveis, elevam a durabilidade para novas alturas.

Experimente o brilho da clareza, à medida que cada bolacha é polida até a perfeição espelhada, refletindo luz com a mesma elegância de uma safira rara.A sua condutividade térmica excepcional garante uma dissipação de calor eficiente, protegendo os seus dispositivos de superaquecimento e prolongando a sua vida útil.

Invista no futuro da sua tecnologia com as nossas Wafers Sapphire, liberta todo o potencial dos teus projetos com esta maravilha natural da engenharia moderna.Encomende agora para garantir o seu abastecimento e elevar os seus produtos para o próximo nível de excelência!

 

Método de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticasMétodo de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticasMétodo de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticas

 

Propriedades ópticas

Transmissão

0.17 a 5.5 um

Índice de refração

1.75449 (o) 1.74663 (e) a 1.06 um

Perda de reflexão

a 1,06 micrões (2 superfícies) para raios-o - 11,7%; para raios-e - 14,2%

Índice de absorção

0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 um

DN/dT

13.7 x 10-6 em 5,4 um

dn/dm = 0

1.5 um

 

Orientação

Plano R, plano C, plano A, plano M ou uma orientação especificada

Orientação Tolerância

± 0,3°

Diâmetro

2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outros

Tolerância de diâmetro

0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas

Espessura

0.25 mm, 0,33 mm, 0,43 mm, 0,65 mm, 1 mm ou outros;

Tolerância de espessura

25 μm

Duração plana primária

16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas

Orientação plana primária

Plano A (1 1-2 0) ± 0,2°; plano C (0 0-0 1 ) ± 0,2°, eixo C projetado 45 +/- 2°

TTV

≤10μm para 2 polegadas, ≤15μm para 3 polegadas, ≤20μm para 4 polegadas, ≤25μm para 6 polegadas

Arco-íris

≤10μm para 2 polegadas, ≤15μm para 3 polegadas, ≤20μm para 4 polegadas, ≤25μm para 6 polegadas

Superfície frontal

Epi-polido (Ra< 0,3 nm para o plano C, 0,5 nm para outras orientações)

Superfície traseira

Finamente moído (Ra=0,6μm~1,4μm) ou Epi-polido

Embalagem

Embalado num ambiente de sala limpa de classe 100

 

Método de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticas

 

Verificação da aceitação

Método de Stepanov Wafer de safira crescido 4 polegadas C-plano para aplicações ópticas

 

1O produto é frágil. Nós o embalamos adequadamente e o rotulámos de frágil. Nós entregamos através de excelentes empresas expressas nacionais e internacionais para garantir a qualidade do transporte.

 

2Após receber as mercadorias, por favor, manuseie com cuidado e verifique se a embalagem exterior está em boas condições.Tire uma foto antes de tirá-los..

 

3Abra a embalagem de vácuo numa sala limpa quando os produtos forem aplicados.

 

4Se os produtos forem encontrados danificados durante o transporte, por favor tire uma foto ou faça uma gravação de vídeo imediatamente.Contacte-nos imediatamente e vamos resolver o problema bem.

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