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MG1275S-BA1MM

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Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

Província / Estado:hongkong

País / Região:china

Pessoa de contato:MrSam Yan

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China MG1275S-BA1MM wholesale

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MG1275S-BA1MM

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Categoria :Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT

Corrente - colector (Ic) (máximo) :105 A

Estatuto do produto :Obsoletos

Tipo de montagem :Montura do chassi

Pacote :Em granel

Série :-

Embalagem / Caixa :Módulo S-3

Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :1.8V @ 15V, 75A (tipo)

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :1200 V

Pacote de dispositivos do fornecedor :S3

Mfr :Littelfuse Inc.

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C (TJ)

Corrente - limite do colector (máximo) :µA 500

Tipo IGBT :-

Potência - Máximo :630 W

Input :Padrão

Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :5.52 nF @ 25 V

Configuração :Meia ponte

Termistor NTC :- Não.

Descrição :Módulo IGBT 1200V 105A 630W S3

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Módulo IGBT Meia ponte 1200 V 105 A 630 W Montador do chassi S3

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